Регистрация / Вход
Прислать материал

Высококачественные кристаллы и эпитаксиальные структуры полупроводниковых соединений А2В6, синтезируемые с использованием контролируемых воздействий на примесно-дефектное состояние системы.

Шифр лота
2008-03-1.3-25-12
Количество поданных заявок
1
Статус лота
Конкурс завершен
Способ размещения заказа
Информация отсутствует
Дата вскрытия
28.08.2008
Продолжительность работ
2008 - 2009, 13 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Внебюджетные средства
4 млн

Разработка физико-химических основ процессов контролируемых воздействий на примесно-дефектное состояние монокристаллических композиций полупроводниковых соединений А2В6 и их твердых растворов, а также методик выращивания кристаллов с контролируемым отклонением от стехиометрии и эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А2В6 на их основе. Создание гетероструктур соединений А2В6 с уникальными функциональными характеристиками для ИК-фотоприёмников, оптоэлектронных приборов, приборов ИК-спектроскопии.

Заявки
Тема
Высококачественные кристаллы и эпитаксиальные структуры полупроводниковых соединений А2В6, синтезируемые с использованием контролируемых воздействий на примесно-дефектное состояние системы.
Цель
Разработка физико-химических основ процессов контролируемых воздействий на примесно-дефектное состояние монокристаллических композиций полупроводниковых соединений А2В6 и их твердых растворов, а также методик выращивания кристаллов с контролируемым отклонением от стехиометрии и эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А2В6 на их основе. Создание гетероструктур соединений А2В6 с уникальными функциональными характеристиками для ИК-фотоприёмников, оптоэлектронных приборов, приборов ИК-спектроскопии.
Исполнитель
АО "Гиредмет"
Руководитель работ
Леванович Борис Наумович
Статус
Победитель
Номер заявки
Заявка №2008-03-1.3-25-12-001

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (многоэлементный фотоприемник в диапазоне 0,4 – 0,7 мкм на основе широкозонных полупроводников)
Продолжительность работ
2013 - 2015, 25 мес.
Бюджетные средства
18,4 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии эпитаксиального выращивания приборных полупроводниковых гетероструктур на основе InP: лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300-1550 нм
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (кремниевый матричный фотоприёмник в диапазоне 0,5-1,1 мкм на основе функционально-интегрированных структур)
Продолжительность работ
2013 - 2015, 25 мес.
Бюджетные средства
18,4 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных и квантовых структур и приборов нового поколения (кремниевый ИК-фотоприемник с обработкой сигнала в ячейках матрицы).
Продолжительность работ
2014 - 2015, 20 мес.
Бюджетные средства
19,06 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование процессов эпитаксиального роста гетероструктур для источников излучения в глубоком УФ-диапазоне (260 – 300 нм) и электронных и оптических явлений в таких структурах.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
6,3 млн
Количество заявок
2