Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка технологии получения полупроводниковых излучателей для создания высокоэффективных RGB источников белого света для систем освещения нового поколения.

Шифр лота
2008-03-2.3-07-02
Количество поданных заявок
1
Статус лота
Конкурс завершен
Способ размещения заказа
Информация отсутствует
Дата вскрытия
16.07.2008
Продолжительность работ
2008 - 2010, 27 мес.
Бюджетные средства
130 млн
Внебюджетные средства
50,7 млн

Разработка новой технологии получения опытных образцов гетероструктур на основе InGaAlN для светодиодов широкого зеленого диапазона длин волн 505-550 нм и создание на их основе высокоэффективных источников белого света с высоким индексом цветопередачи для систем общего освещения.

 Все лоты данного конкурса (4)

Тема
Разработка методов многомасштабного моделирования и виртуального проектирования наноструктурированных материалов.
Продолжительность работ
2008 - 2010, 27 мес.
Бюджетные средства
130 млн
Количество заявок
2
Тема
Технология опытно-промышленного производства нанокерамических теплоизоляционных и легковесных высокотемпературных изделий на основе природного кремнийсодержащего сырья.
Продолжительность работ
2008 - 2010, 27 мес.
Бюджетные средства
230 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка технологии синтеза и обработки наноструктурированных композиционных материалов на основе диоксида циркония и выпуск опытных партии деталей триботехнического назначения.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 15 мес.
Бюджетные средства
100 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка наноструктурированных жаропрочных сталей и технологий производства из них высокотемпературных элементов энергетического оборудования нового поколения.
Продолжительность работ
2008 - 2010, 27 мес.
Бюджетные средства
230 млн
Количество заявок
1
Заявки
Тема
Разработка технологии получения полупроводниковых излучателей для создания высокоэффективных RGB источников белого света для систем освещения нового поколения.
Цель
Разработка новой технологии получения гетероструктур на основе InGaAlN для светодиодов широкого зеленого диапазона длин волн 505-550 нм и создание на их основе высокоэффективных источников белого света с высоким индексом цветопередачи для систем общего освещения.
Статус
Победитель
Номер заявки
Заявка №2008-03-2.3-07-02-003

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

2.3 Осуществление комплексных проектов, в том числе разработка конкурентоспособных технологий, предназначенных для последующей коммерциализации в области индустрии наносистем
Тема
Разработка технологии изготовления динамически управляемых полихромных светодиодных источников света с высоким индексом цветопередачи на основе полупроводниковых широкозонных наногетероструктур.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 17 мес.
Бюджетные средства
86,8 млн
Количество заявок
1
Тема
Создание высокоэффективных полупроводниковых тонкопленочных светодиодов и лазеров видимого и инфракрасного диапазонов с внешним квантовым выходом более 40%.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка и создание унифицированного ряда энергоэкономичных светотехнических приборов для уличного освещения на основе источников света нового поколения
Продолжительность работ
2008 - 2010, 29 мес.
Бюджетные средства
120 млн
Количество заявок
9
Тема
Полупроводниковые наноструктурированные материалы для лазерных излучателей с вертикальным резонатором.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 15 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка методов получения светоизлучающих наноразмерных гетероструктур InGaAlN и монолитных белых светодиодов на их основе с квантовой эффективностью не менее 10%.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
19,47 млн
Количество заявок
1