Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка опытно-промышленной технологии получения наноразмерных гетероструктур для изготовления чипов светодиодов с длиной волны излучения 360-370 нм, а также приборов для очистки и дезинфекции воздуха на их основе.

Шифр лота
2009-03-2.3-07-06
Количество поданных заявок
1
Статус лота
Конкурс завершен
Способ размещения заказа
Информация отсутствует
Дата вскрытия
26.10.2009
Продолжительность работ
2009 - 2011, 24 мес.
Бюджетные средства
100 млн
Внебюджетные средства
39 млн

Создание отечественной опытно-промышленной технологии производства наноразмерных светоизлучающих гетероструктур для изготовления чипов светодиодов с длиной волны излучения 360-370 нм, а также приборов для очистки и дезинфекции воздуха на их основе, обеспечивающих повышение качества жизни и здоровья населения.

Заявки
Тема
Разработка опытно-промышленной технологии получения наноразмерных гетероструктур для изготовления чипов светодиодов с длиной волны излучения 360-370 нм, а также приборов для очистки и дезинфекции воздуха на их основе.
Цель
Создание отечественной опытно-промышленной технологии производства наноразмерных светоизлучающих гетероструктур для изготовления чипов светодиодов с длиной волны излучения 360-370 нм, а также приборов для очистки и дезинфекции воздуха на их основе, обеспечивающих повышение качества жизни и здоровья населения.
Исполнитель
ООО "Галлий-Н"
Руководитель работ
Макаров Юрий Николаевич
Статус
Победитель
Номер заявки
Заявка №2009-03-2.3-07-06-001

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

2.3 Осуществление комплексных проектов, в том числе разработка конкурентоспособных технологий, предназначенных для последующей коммерциализации в области индустрии наносистем
Тема
Разработка методов изготовления наноразмерных светоизлучающих гетероструктур для светодиодов ближнего ультрафиолетового диапазона.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка методов получения светоизлучающих наноразмерных гетероструктур InGaAlN и монолитных белых светодиодов на их основе с квантовой эффективностью не менее 10%.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
19,47 млн
Количество заявок
1
Тема
Создание метрологического комплекса и нормативно-методической базы для обеспечения единства измерений оптических характеристик излучателей на основе полупроводниковых многослойных наноразмерных гетероструктур (светодиодов).
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
35 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка измерительного комплекса, программного обеспечения и методов контроля электрофизических, оптических и цветовых характеристик полупроводниковых светоизлучающих гетероструктур и приборов на их основе
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
27,5 млн
Количество заявок
3
Тема
Разработка конструкции и технологии изготовления сверхмощных светоизлучающих кристаллов на основе инверсных GaN-гетероструктур.
Продолжительность работ
2007 - 2008, 14 мес.
Бюджетные средства
140 млн
Количество заявок
2