Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка темплейтов нитрида галлия на подложках кремния для приборов оптической и СВЧ электроники.

Шифр лота
2011-1.3-513-080
Количество поданных заявок
3
Статус лота
Конкурс завершен
Способ размещения заказа
Информация отсутствует
Дата вскрытия
29.08.2011
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Внебюджетные средства
4,8 млн

Разработка экономичных методов изготовления высококачественных темплейтов нитрида галлия на подложках кремния (GaN/Si) с использованием хлоридно-гидридной эпитаксии для создания на их основе широкой номенклатуры устройств оптической и СВЧ электроники.

 Все лоты данного конкурса (5)

Тема
Создание мемристорных коммутационных матриц.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка средства измерений пространственного распределения плотности тока в микро- и наносистемах.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка инфракрасных фотоприемных модулей на основе неохлаждаемых тонкопленочных чувствительных наноструктур.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Создание высокоэффективных полупроводниковых тонкопленочных светодиодов и лазеров видимого и инфракрасного диапазонов с внешним квантовым выходом более 40%.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Создание микрофлюидного устройства для кристаллизации белков в условиях невесомости.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
14 млн
Количество заявок
1
Заявки
Тема
Разработка темплейтов нитрида галлия на подложках кремния для приборов оптической и СВЧ электроники.
Цель
Разработка экономичных методов изготовления высококачественных темплейтов нитрида галлия на подложках кремния (GaN/Si) с использованием хлоридно-гидридной и молекулярно-лучевой эпитаксии для создания на их основе широкой номенклатуры устройств оптической и СВЧ электроники.
Исполнитель
НИЯУ МИФИ
Руководитель работ
Сафаралиев Гаджимет Керимович
Статус
Победитель
Номер заявки
Заявка №2011-1.3-513-080-009
Разработка темплейтов нитрида галлия на подложках кремния для приборов оптической и СВЧ электроники.
Тема
Разработка темплейтов нитрида галлия на подложках кремния для приборов оптической и СВЧ электроники.
Цель
Разработка экономичных методов изготовления высококачественных темплейтов нитрида галлия на подложках кремния (GaN/Si) с использованием хлоридно-гидридной эпитаксии для создания на их основе широкой номенклатуры устройств оптической и СВЧ электроники
Исполнитель
ООО "Галлий-Н"
Руководитель работ
Макаров Юрий Николаевич
Статус
Конкурс завершен
Номер заявки
Заявка №2011-1.3-513-080-005

  Другие заявки (1)

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2011 - 2012, 11 мес.
Бюджетные средства
14 млн
Организация
НИЯУ МИФИ
профинансировано
Продолжительность работ
2005 - 2006, 15 мес.
Бюджетные средства
10,5 млн
Организация
ПАО "Светлана"
профинансировано
Тема
Разработка конкурентоспособных технологий и создание опытно-промышленного производства подложек лейкосапфира, карбида кремния и нитрида галлия для широкого класса приборов оптоэлектроники и электроники.
Продолжительность работ
2007 - 2009, 26 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
2
Тема
«Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники».
Продолжительность работ
2011 - 2013, 31 мес.
Бюджетные средства
240 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии изготовления нитридных гетероструктур на подложках нитрида алюминия для СВЧ-транзисторов.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10,5 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка технологии нанополировки подложек оксида алюминия и карбида кремния для изготовления мощных электронных и оптоэлектронных приборов на нитридах алюминия и галлия.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
25 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка технологии и оборудования для обеспечения производства подложек нитрида галлия приборов электроники и оптоэлектроники на основе широкозонных полупроводников.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2