Регистрация / Вход
Прислать материал

«Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники».

Шифр лота
2011-2.3-523-007
Количество поданных заявок
1
Статус лота
Конкурс завершен
Способ размещения заказа
Информация отсутствует
Дата вскрытия
25.04.2011
Продолжительность работ
2011 - 2013, 31 мес.
Бюджетные средства
240 млн
Внебюджетные средства
170,49 млн

Разработка технологии получения гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, (SiC)1-x(AlN)x/3C-SiC/Si с уникальными структурными, электрофизическими и механическими характеристиками для полупроводниковых приборов оптоэлектроники, твердотельной микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники. Создание комплекса оборудования для организации опытно-промышленного производства гетероэпитаксиальных структур на основе кубического карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на кремниевых подложках с нанопористым буферным слоем.

 Все лоты данного конкурса (1)

Тема
«Разработка и организация опытно-промышленного производства автоматизированного измерительного комплекса для технологического контроля механических свойств наноструктурированных покрытий».
Продолжительность работ
2011 - 2013, 31 мес.
Бюджетные средства
248 млн
Количество заявок
1
Заявки
Тема
«Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники».
Цель
Разработка технологии получения гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, (SiC)1-x(AlN)x/3C-SiC/Si с уникальными структурными, электрофизическими и механическими характеристиками для полупроводниковых приборов оптоэлектроники, твердотельной микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники. Создание комплекса оборудования для организации опытно-промышленного производства гетероэпитаксиальных структур на основе кубического карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на кремниевых подложках с нанопористым буферным слоем.
Исполнитель
НИЯУ МИФИ
Руководитель работ
Стриханов Михаил Николаевич
Статус
Победитель
Номер заявки
Заявка №2011-2.3-523-007-002

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

2.3 Осуществление комплексных проектов, в том числе разработка конкурентоспособных технологий, предназначенных для последующей коммерциализации в области индустрии наносистем
Тема
Разработка технологии и организация опытного производства гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на кремниевых подложках для изделий силовой микроэлектроники.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 17 мес.
Бюджетные средства
100 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка нового класса функциональных полупроводниковых структур на подложках из широкозонных полупроводников и диэлектриков.
Продолжительность работ
2017 - 2018, 14 мес.
Бюджетные средства
27 млн
Количество заявок
0
Тема
Разработка конкурентоспособных технологий и создание опытно-промышленного производства подложек лейкосапфира, карбида кремния и нитрида галлия для широкого класса приборов оптоэлектроники и электроники.
Продолжительность работ
2007 - 2009, 26 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка технологии получения комплекса монокристаллов широкозонных полупроводников для элементной базы оптоэлектроники, дозиметрии, медицинской аппаратуры, приборов досмотровой техники.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
3
Тема
Метрологическое и нормативно-методическое обеспечение измерений параметров и характеристик наноструктурированных гетероэпитаксиальных структур полупроводникового твердого раствора «кадмий-ртуть-теллур» для инфракрасной техники.
Продолжительность работ
2011, 6 мес.
Бюджетные средства
7 млн
Количество заявок
1