Регистрация / Вход
Прислать материал

Развитие промышленности синтетических кристаллов-диэлектриков и изделий из них.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.190.12.007
Продолжительность работ
2003 - 2011, 104 мес.
Бюджетные средства
0 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
11.04.2003 - 30.06.2003
2
01.04.2005 - 30.06.2005
2.1 Разработка ТЗ на выполнение работ соисполнителями в 2003 году по разработке эскизной КД, изготовлению, доработке и проведению испытаний макетов узлов технологического оборудования для выращивания кристаллов.
Разработка ТЗ на составные части ОКР по разработке технологических процессов выращивания и разработке технологического оборудования для выращивания объемного сапфира (монокристаллов лейкосапфира).
2.2 Разработка технических решений, изготовление макетов составных частей технологического оборудования и их испытание с целью проверки выбранных принципов работы. Разработка КД и ТД на макетную технологию синтеза кристаллов оптического кварца.
2.3 Расчетно-теоретические работы, изготовление макетов комплектов технологического оборудования и макетов специальной технологической оснастки для выращивания кристаллов, разработка описания технологических процессов для выращивания кристаллов.
2.4 Оформление дополнительных соглашений на работы с соисполнителями, выполняемые в 2004-2006 гг., по разработке технологических процессов и технологического оборудования для выращивания кристаллов:
а) профилированного сапфира (трубы, ленты, стержни, тигли);
б) нитрида алюминия;
в) оксида цинка;
г) кварца (пьезокварца);
д) оптического кварца;
е) лангасита;
ж) ниобата лития;
з) электрооптических: теллурида кадмия;
и) кристаллов-сцинтилляторов: иодида цезия;
к) нитридных кристаллических структур на элементах объемного сапфира.
Разработка Положения о защите коммерческой тайны, Общих положених (условий) об организации договорной работы по госконтрактам (договорам), форм договорной документации по договорам НИР, ОКР, лицензионного соглашения (договора) с соответствующими приложениями, системы документооборота по госконтракту (договору), порядка оплаты труда и премирования по госконтракту (договору), аналитических форм учета и отчетности по госконтракту (договору) и договорам с соисполнителями. Разработка схем деления на технологическое оборудование, перечней КД, ТД и ЭД на технологическое оборудование и технологические процессы выращивания кристаллов и макетов специальной технологической оснастки . Выбор и обоснование структуры комплекта технологического оборудования MOCVD, типов и основных характеристик технологического процесса выращивания нитридных кристаллических структур (НКС) на элементах (пластинах) из объемного сапфира(монокристаллов лейкосапфира) (ОСЭ).
Разработка и согласование с Заказчиком комплектности документов, выпускаемых на стадии ЭП по ГОСТ 2.102 и ГОСТ 3.1119-1121, перечней КД и ЭД на комплект технологического оборудования MOCVD и ТД на технологический процесс выращивания НКС на ОСЭ.
Разработка и изготовление макетов узлов технологического оборудования для выращивания профилированного сапфира (ленты, стержни, тигли).
Разработка и изготовление макетов: - узлов оборудования и оснастки для выращивания лангасита (для получения мелкодисперсного оксида галлия, для непрерывного наплавления шихты); Разработка программ и методик испытаний макетов узлов технологического оборудования для выращивания кристаллов. Разработка описаний технологических процессов выращивания кристаллов.
2.5 Разработка материалов эскизного проекта ресурсосберегающих технологий выращивания кристаллов.
Разработка пояснительной записки эскизного проекта.
Изготовление макетов узлов технологического оборудования выращивания кристаллов.
Разработка программ и методик испытаний макетов узлов технологического оборудования для выращивания кристаллов. Проведение испытаний макетов узлов.
Изготовление макетов комплектов технологического оборудования выращивания кристаллов.
Разработка описаний технологических процессов выращивания кристаллов.
Представление и защита эскизного проекта ресурсосберегающих технологий выращивания кристаллов.
Развернуть
3
01.07.2005 - 30.09.2005
4
01.10.2005 - 30.12.2005
Разработаны высокоэффективные энергосберегающие промышленные технологии и оборудование для выращивания следующих кристаллов: профилированный сапфир, объемный сапфир; оптический кварц, оксид цинка, пьезокварц ниобат лития, лангасит, нитридные кристаллические структуры на элементах из объемного сапфира: нитрид аллюминия, теллурид висмута.
Разработаны промышленные технологии и оборудование для обработки следующих кристаллов: объемный сапфир, лангасит, нитрид аллюминия, теллурид висмута.
Разработаны программы и методики (ПМ) предвари-тельных испытаний установок для выращивания крис-таллов и самих кристаллов, выращенных на этих установках, а также технологического оборудования для обработки кристаллов, проведены предварительные испытания.
Разработаны программы и методики (ПМ) Государственных приемочных испытаний установок для выращивания кристаллов и самих кристаллов, выращенных на этих установках, а также технологического оборудования для обработки кристаллов.
Успешно проведены Государственные приемочные испытания:
- промышленных технологий выращивания перечисленных выше кристаллов
- промышленных установок и технологического оборудования для выращивания перечисленных выше кристаллов
- промышленных технологий обработки перечисленных выше кристаллов
- промышленных установок и технологического оборудования для обработки перечисленных выше кристаллов.
Начато внедрение разработанных оборудования и технологий на серийных заводах.
Развернуть
5
01.01.2006 - 01.11.2006

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

3.2 Научно-организационное сопровождение важнейших предметно-ориентированных инновационных проектов государственного значения
Продолжительность работ
2014 - 2016, 30 мес.
Бюджетные средства
24 млн
профинансировано
Тема
Развитие промышленности синтетических кристаллов-диэлектриков и изделий из них
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
150 млн
Количество заявок
1
Тема
Анализ, информационно-аналитическое и методическое обеспечение инновационного проекта государственного значения IX. "Развитие промышленности синтетических кристаллов-диэлектриков и изделий из них". Прогнозная оценка технико-экономических показателей проекта на всех стадиях его реализации.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
2 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка научных основ формирования и применения биорезорбируемых синтетических биологически активных медицинских полимерных материалов и изделий для регенеративной терапии.
Продолжительность работ
2013, 8 мес.
Бюджетные средства
50 млн
Количество заявок
21
Тема
Исследование оптических и электронных свойств наноструктурированных полупроводников и диэлектриков.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка образовательной программы бакалавриата практико-ориентированного типа по направлению подготовки «Химическая технология» с направленностью (профилем) «Производство фармацевтических субстанций» и комплекса образовательных модулей (для образовательных программ магистратуры и программ дополнительного образования) для реализации непрерывного образования в области исследования, разработки и производства синтетических лекарственных средств
Продолжительность работ
2014 - 2015, 14 мес.
Бюджетные средства
9,61 млн
Количество заявок
1