Прислать материал
Разработка технологии изготовления нитридных гетероструктур на подложках нитрида алюминия для СВЧ-транзисторов.
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.435.11.1005
Организация
ПАО "Светлана"
Продолжительность работ
2005 - 2006, 15 мес.
Бюджетные средства
10,5 млн
Внебюджетные средства
2,63 млн
Конкурс
Разработка технологии изготовления нитридных гетероструктур на подложках нитрида алюминия для СВЧ-транзисторов.
Разработка технологии получения нитридных структур для СВЧ-транзисторов диапазона 8 – 12 ГГц с параметрами мирового уровня.
Соисполнители
Организация
АО "Светлана-Рост"
Этапы проекта
1
22.07.2005 - 08.12.2005
Проведены патентные исследования по ГОСТ Р 15.011-96 "СРППП. Патентные исследования".
Проведена оценка параметров точности технологического оборудования.
Произведен выбор средств и методов контроля (испытаний, анализа, измерений).
Определена номенклатура технологической документации в соответствии с ГОСТ 3.1119 и ГОСТ 3.1121. Разработана предварительная технологическая документация (ТД), праграмма и методика исследовательских испытаний.
Разработана эскизная конструкторская документация на экспериментальные образцы гетероструктур для СВЧ-транзисторов.
Разработана программа и методика лабораторных испытаний эпитаксиальных процессов нитридных гетероструктур на темплейтах AIN.
Проведены лабораторные испытания эпитаксиальных процессов нитридных гетероструктур на темплейтах AIN.
Изготовлены экспериментальные образцы нитридных гетероструктур на темплейтах AIN.
Осуществлен выбор средств технологического оснащения процессов испытаний.
Уточнены требования к качеству материалов.
Разработана предварительная ТД на нитридные гетероструктуры.
Проведена оценка параметров точности технологического оборудования.
Произведен выбор средств и методов контроля (испытаний, анализа, измерений).
Определена номенклатура технологической документации в соответствии с ГОСТ 3.1119 и ГОСТ 3.1121. Разработана предварительная технологическая документация (ТД), праграмма и методика исследовательских испытаний.
Разработана эскизная конструкторская документация на экспериментальные образцы гетероструктур для СВЧ-транзисторов.
Разработана программа и методика лабораторных испытаний эпитаксиальных процессов нитридных гетероструктур на темплейтах AIN.
Проведены лабораторные испытания эпитаксиальных процессов нитридных гетероструктур на темплейтах AIN.
Изготовлены экспериментальные образцы нитридных гетероструктур на темплейтах AIN.
Осуществлен выбор средств технологического оснащения процессов испытаний.
Уточнены требования к качеству материалов.
Разработана предварительная ТД на нитридные гетероструктуры.
2
01.01.2006 - 30.06.2006
1. Разработана рабочая ТД.
2. Произведен выбор технологической оснастки.
3. Произведен выбор средств технологического оснащения процессов испытаний.
4. Разработана программа и методика доводочных испытаний процессов выращивания гетероструктур.
5. Проведены доводочные испытания.
6. По результатам доводочных испытаний скорректирована рабочая ТД.
2. Произведен выбор технологической оснастки.
3. Произведен выбор средств технологического оснащения процессов испытаний.
4. Разработана программа и методика доводочных испытаний процессов выращивания гетероструктур.
5. Проведены доводочные испытания.
6. По результатам доводочных испытаний скорректирована рабочая ТД.
3
01.07.2006 - 31.10.2006
1. Проведены дополнительные патентные исследования по ГОСТ Р 15.011-96 «СРППП. Патентные исследования».
2. Разработана программа и методики предварительных испытаний.
3. Проведены предварительные испытания.
4. По результатам предварительных испытаний откорректирована ТД, присвоена ТД литера «О».
5. Разработана программа и методики приемочных испытаний.
6. Проведены приемочные испытания.
7. По результатам приемочных испытаний откорректированы ТД и проект ТУ, присвоена ТД литера «О1» и утверждено ТУ.
8. Разработана программа внедрения созданной технологии на предприятии-соисполнителе работ.
9. Изготовлены 6 экспериментальных образцов (пластин диаметром 15мм) нитридных гетероструктур.
2. Разработана программа и методики предварительных испытаний.
3. Проведены предварительные испытания.
4. По результатам предварительных испытаний откорректирована ТД, присвоена ТД литера «О».
5. Разработана программа и методики приемочных испытаний.
6. Проведены приемочные испытания.
7. По результатам приемочных испытаний откорректированы ТД и проект ТУ, присвоена ТД литера «О1» и утверждено ТУ.
8. Разработана программа внедрения созданной технологии на предприятии-соисполнителе работ.
9. Изготовлены 6 экспериментальных образцов (пластин диаметром 15мм) нитридных гетероструктур.
Программа
Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы
Программное мероприятие
1.3 Прикладные разработки в рамках системы приоритетных направлений
профинансировано
Разработка технологии изготовления силовых коммутационных транзисторов на основе нитрида галлия для создания энергоэффективных источников вторичного электропитания
профинансировано
Моделирование и разработка методов характеризации параметров высокочастотных полевых транзисторов на основе графена для использования их в высокопроизводительных телекоммуникационных системах
профинансировано
Разработка технологии получения слоистой структуры на базе фуллерена C60 для создания логических схем (в том числе компьютерной памяти) с применением спиновых транзисторов, работающих в СВЧ диапазоне
Продолжительность работ
2015 - 2017, 26 мес.
Бюджетные средства
7 млн
Организация
ФГБОУ ВО "ИжГТУ имени М.Т.Калашникова"
профинансировано
Исследование и разработка конструкций и технологий гетеробиполярных транзисторов на основе гетероструктур арсенида галлия, необходимых для монолитных схем СВЧ-генераторов с ультранизкими фазовыми шумами коротковолновой части сантиметрового диапазона
профинансировано