Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка технологии изготовления нитридных гетероструктур на подложках нитрида алюминия для СВЧ-транзисторов.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.435.11.1005
Организация
ПАО "Светлана"
Продолжительность работ
2005 - 2006, 15 мес.
Бюджетные средства
10,5 млн
Внебюджетные средства
2,63 млн

Разработка технологии получения нитридных структур для СВЧ-транзисторов диапазона 8 – 12 ГГц с параметрами мирового уровня.

Соисполнители

Организация
АО "Светлана-Рост"

Этапы проекта

1
22.07.2005 - 08.12.2005
Проведены патентные исследования по ГОСТ Р 15.011-96 "СРППП. Патентные исследования".
Проведена оценка параметров точности технологического оборудования.
Произведен выбор средств и методов контроля (испытаний, анализа, измерений).
Определена номенклатура технологической документации в соответствии с ГОСТ 3.1119 и ГОСТ 3.1121. Разработана предварительная технологическая документация (ТД), праграмма и методика исследовательских испытаний.
Разработана эскизная конструкторская документация на экспериментальные образцы гетероструктур для СВЧ-транзисторов.
Разработана программа и методика лабораторных испытаний эпитаксиальных процессов нитридных гетероструктур на темплейтах AIN.
Проведены лабораторные испытания эпитаксиальных процессов нитридных гетероструктур на темплейтах AIN.
Изготовлены экспериментальные образцы нитридных гетероструктур на темплейтах AIN.
Осуществлен выбор средств технологического оснащения процессов испытаний.
Уточнены требования к качеству материалов.
Разработана предварительная ТД на нитридные гетероструктуры.
Развернуть
2
01.01.2006 - 30.06.2006
1. Разработана рабочая ТД.
2. Произведен выбор технологической оснастки.
3. Произведен выбор средств технологического оснащения процессов испытаний.
4. Разработана программа и методика доводочных испытаний процессов выращивания гетероструктур.
5. Проведены доводочные испытания.
6. По результатам доводочных испытаний скорректирована рабочая ТД.
Развернуть
3
01.07.2006 - 31.10.2006
1. Проведены дополнительные патентные исследования по ГОСТ Р 15.011-96 «СРППП. Патентные исследования».
2. Разработана программа и методики предварительных испытаний.
3. Проведены предварительные испытания.
4. По результатам предварительных испытаний откорректирована ТД, присвоена ТД литера «О».
5. Разработана программа и методики приемочных испытаний.
6. Проведены приемочные испытания.
7. По результатам приемочных испытаний откорректированы ТД и проект ТУ, присвоена ТД литера «О1» и утверждено ТУ.
8. Разработана программа внедрения созданной технологии на предприятии-соисполнителе работ.
9. Изготовлены 6 экспериментальных образцов (пластин диаметром 15мм) нитридных гетероструктур.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.3 Прикладные разработки в рамках системы приоритетных направлений
Тема
Разработка технологии изготовления нитридных гетероструктур на подложках нитрида алюминия для СВЧ-транзисторов.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10,5 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка технологии ин-ситу пассивации поверхности нитридных гетероструктур и создания невплавных омических контактов к ним
Продолжительность работ
2015 - 2016, 14 мес.
Бюджетные средства
7,8 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка технологии нанополировки подложек оксида алюминия и карбида кремния для изготовления мощных электронных и оптоэлектронных приборов на нитридах алюминия и галлия.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
25 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка технологии и организация опытного производства гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на кремниевых подложках для изделий силовой микроэлектроники.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 17 мес.
Бюджетные средства
100 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка опытно-промышленной технологии мощных светодиодных сборок «чип на плате», излучающих в УФ диапазоне, на основе высокоэффективных наногетероструктур нитридных полупроводниковых материалов.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 18 мес.
Бюджетные средства
95 млн
Количество заявок
1