Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка технологии получения комплекса монокристаллов широкозонных полупроводников для элементной базы оптоэлектроники, дозиметрии, медицинской аппаратуры, приборов досмотровой техники.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.435.11.2003
Организация
АО "НИИ МВ"

Создание технологии получения монокристаллов широкозонных полупроводников диаметром не менее 50 мм для новой элементной базы - рентгеносцитилляционных элементов приборов оптоэлектроники, дозиметрии, медицинской аппаратуры, досмотровой техники.

Соисполнители

Этапы проекта

1
25.05.2005 - 31.08.2005
2
01.09.2005 - 09.12.2005
Проведены исследования и разработка технологии вакуумной пересублимации Zn,Cd,Se,Te,S, исследования и разработка методов синтеза ZnSe,CdTe,CdS,ZnTe,CdZnTe. Разработаны технологический регламент процесса очистки,лабораторный регламент синтеза соединений.
Развернуть
3
01.01.2006 - 30.06.2006
В отчете рассмотрены методы роста монокристаллов широкозонных полупроводников для элементной базы оптоэлектроники, дозиметрии, медицинской аппаратуры, приборов досмотровой техники. Приведены результаты разработки технологических процессов выращивания монокристаллов кадмиевой и цинковой группы из паровой фазы и изготовления опытных партий монокристаллов, в том числе технологический регламент выращивания монокристаллов ZnSe, CdTe, CdZnTe, CdS, ZnTe, включающий операции синтеза бинарных соединений, роста монокристаллов и термообработки.
Развернуть
4
01.07.2006 - 31.10.2006
1. Предмет и цель работы.
  Предметом исследования являются методы получения монокристаллов широкозонных полупроводников для элементной базы оптоэлектроники, дозиметрии, медицинской аппаратуры, приборов досмотровой техники
  Цель работы - создание технологии получения комплекса монокристаллов широкозонных полупроводников для элементной базы оптоэлектроники, дозиметрии, медицинской аппаратуры, приборов досмотровой техники.
2. Результаты работы.
  В результате исследований были разработаны технологический регламент очистки исходных элементов и лабораторный регламент синтеза соединений А2В6 высокой чистоты, разработаны схема управления технологическим процессом роста монокристаллов из паровой фазы и схема управления технологическим процессом роста монокристаллов из расплава. Основные технологические показатели схем управления: для метода роста из паровой фазы – точность поддержания температуры 0,1 градуса, время непрерывной работы более 200 часов при рабочих температурах 1100º-1250ºС, для метода роста из расплава - точность поддержания температуры 0,5 градуса, время непрерывной работы более 50 часов при рабочих температурах 1350º-1450ºС. Был разработан технологический регламент выращивания монокристаллов цинковой и кадмиевой группы из паровой фазы и изготовлены опытные партии монокристаллов со следующими основными технологическими показателями:
  Номенклатура монокристаллов: ZnSe, CdTe, CdZnTe, CdS, ZnTe;
  Диаметр монокристаллов не менее 50 мм;
  Плотность дислокаций:
  ZnSe - менее 5х103/см2; CdTe – менее 5х104/см2; CdZnTe - менее 5х104/см2;
  CdS – менее 2х104/см2; ZnTe - менее 5х104/см2 .
  На основе разработанного технологического процесса была выпущена опытная партия кристаллов и организовано опытно-промышленное производство. Разработан проект ТУ на кристаллы. В настоящее время осуществляются регулярные поставки на экспорт рентгеночувствительных элементов, изготовленных из разработанных кристаллов в количестве 1000 шт/месяц.
3. Область применения результатов.
  Оптоэлектроника, дозиметрия, медицинская аппаратура, приборы досмотровой техники
4. Выводы.
  Разработанный комплекс монокристаллов широкозонных полупроводников соответствует требованиям технического задания и может быть использован для создания новых типов приборов в различных областях науки и техники.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.3 Прикладные разработки в рамках системы приоритетных направлений
Тема
Разработка технологии получения комплекса монокристаллов широкозонных полупроводников для элементной базы оптоэлектроники, дозиметрии, медицинской аппаратуры, приборов досмотровой техники.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
3
Тема
Разработка технологии и оборудования для обеспечения производства подложек нитрида галлия приборов электроники и оптоэлектроники на основе широкозонных полупроводников.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка комплекса методов выращивания высокосовершенных монокристаллов полупроводниковых соединений АIIIВV для применения в микро- и оптоэлектронике.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Количество заявок
2
Тема
«Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники».
Продолжительность работ
2011 - 2013, 31 мес.
Бюджетные средства
240 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка нового класса функциональных полупроводниковых структур на подложках из широкозонных полупроводников и диэлектриков.
Продолжительность работ
2017 - 2018, 14 мес.
Бюджетные средства
27 млн
Количество заявок
0