Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка технологии химического синтеза из газовой фазы тонкопленочных материалов, обеспечивающих создание структур для устройств памяти.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Продолжительность работ
2005 - 2006, 15 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Разработка технологии осаждения из летучих комплексных и элементоорганических соединений диэлектрических пленок с различными значениями диэлектрической проницаемости; слоев нанокластеров, встроенных в диэлектрик, для создания образцов устройств памяти.

Этапы проекта

1
15.07.2005 - 08.12.2005
Разработаны технологические стадии процесса синтеза нанокластеров германия на поверхности двуокиси кремния, ключевой стадией которых является импульсное низкоэнергетическое воздействие собственными ионами в процессе осаждения германия на SiO(2). Ионное воздействие способствует зарождению новой фазы, что невозможно по механизму термической активации. Полученные структуры соответствуют ультрамалым нанокластерам германия со средним размером 5 нм при поверхностной плотности нанокластеров более 5х1011 см-2.
Разработаны технологические процессы, технологические инструкции и маршрутная карта на химический синтез из газовой фазы тонкопленочных материалов: слоев рутения, меди, двуокиси гафния, карбонитрида кремния, необходимых для изготовления устройств ФЛЭШ - памяти
Развернуть
2
01.01.2006 - 31.08.2006
1. Предмет и цель работы.

….Разработка технологии осаждения из летучих комплексных и элементоорганических соединений диэлектрических пленок рутения и меди, диоксида гафния, карбонитрида кремния и формирования слоев нанокластеров Ge (квантовых точек), встроенных в диэлектрик для создания образцов устройств памяти.

2. Методология проведения работы.

  Оптимизация процессов синтеза диэлектрических пленок выбором температуры осаждения - (300-500)0С, температуры источника вещества-предшественника – (100-150)0С и скорости потока газов – носителей (20-100) см3/мин.; оптимизация процессов формирования структур с квантовыми точками Ge - выбором температуры осаждения (250-300)0С и величины молекулярного потока (0.1-0.15) монослоев Ge/сек.

3. Результаты работы.
Пленки рутения и меди, диоксида гафния, карбонитрида кремния, структура запоминающая с нанокластерами Ge, встроенными в диэлектрик.
Комплекты ТД (ВТД, МК, ТИ, ТУ) на изготовление структур: нанокластеры Ge/SiO2, выращенные методом осаждения в сверхвысоком вакууме; HfO2/Si, выращенная методом газофазного химического осаждения; Cu/рутений/Si, выращенная методом химического осаждения из газовой фазы; SiCxNy/Si(100), выращенная плазмохимическим разложением гексаметилдисилазана; структура запоминающая с нанокластерами Ge, выращенная методом осаждения в сверхвысоком вакууме.

Область применения результатов.

- Изготовление электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств (ЭППЗУ или ФЛЭШ) для вычислительной техники.

5. Выводы.

  Разработанные технологические процессы синтеза и осаждения диэлектрических пленок и структур обеспечивают достижение параметров заданных ТЗ и дают результаты на уровне мировых.
Развернуть
3
01.09.2006 - 31.10.2006
АННОТАЦИЯ
работ, выполненных на отчетном этапе .№3 проекта по теме:
«Разработка технологии химического синтеза из газовой фазы тонкопленочных материалов, обеспечивающих создание структур для устройств памяти» (III очередь)
(Шифр «ИН-13.3/003»)
по Государственному контракту от «04» июля 2005 г. № 02.435.11.2012
и дополнительному соглашению от «20» марта 2006 г. № 1.

1. Предмет и цель работы.
….Разработка технологии осаждения из летучих комплексных и элементоорганических соединений диэлектрических пленок диоксида гафния, карбонитрида кремния, пленок рутения и меди, и формирования слоев нанокластеров Ge (квантовых точек), встроенных в диэлектрик для создания образцов устройств памяти - электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств ЭППЗУ (или ФЛЭШ).

2. Методология проведения работы.
  Оптимизация процессов химического синтеза и осаждения диэлектрических (диоксида гафния, карбонитрида кремния), металлических (алюминия, меди, рутения) и полупроводниковых (германия, кремния) пленок путем выбора температуры источника вещества-предшественника, температуры осаждения, скорости потока газа – носителя, плотности молекулярного потока осаждаемого вещества.

3. Результаты работы.
Представлен научно-технический отчет; отчет о патентных исследованиях по отбору технических решений в отношении объектов техники; комплекты РТД (ВТД, МК, ТИ, ТУ) на изготовление диэлектрических пленок диоксида гафния и карбонитрида кремния и технологию формирования слоев нанокластеров германия, встроенных в диэлектрик.
  Изготовлены макеты и опытные образцы ЭППЗУ на основе структур Al/SiO2/нанокристаллы Ge/SiO2/Si и Al/HfO2/ нанокристаллы Ge/SiCxNy/SiO2/Si с импульсом перепрограммирования длительностью до 10 мс, амплитудой до 10 В и окном памяти до 3 В.

4. Область применения результатов.
  Разработанные технологические процессы химического синтеза диэлектрических пленок и формирования нанокристаллов германия, встроенных в диэлектрик, будут использованы при разработке опытно-конструкторской документации производства быстродействующих ЭППЗУ для вычислительной техники, а также устройств массового сбыта – электронных паспортов, банковских карточек, мобильных телефонов, плееров, цифровых фотоаппаратов, видеокамер. Это открывает возможность выхода РФ на гражданский рынок востребованной конкурентоспособной наукоемкой высокотехнологичной электронной продукции в настоящее время закупаемой за рубежом.

5. Выводы.
  Разработанные технологические процессы синтеза диэлектрических, полупроводниковых и металлических тонких пленок обеспечивают возможность изготовления ЭППЗУ с параметрами заданными ТЗ и дают результаты на уровне мировых.

Исполнитель:
Ректор Томского госуниверситета
_______________ Г.В. Майер

Руководитель работ:
Руководитель Научного Управления
_______________ И.В. Ивонин
«26» октября 2006 г.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.3 Прикладные разработки в рамках системы приоритетных направлений
Проведение поисковых научно-исследовательских работ в области электроники и перспективных материалов в интересах высокотехнологичных секторов экономики с использованием современной экспериментальной базы : 1. Исследование интегрально-оптического модулятора на ниобате лития, выполненного на базе протонообменных канальных волноводов 2. Рентгеновские исследования планарных наноразмерных структур на основе TiO2, Al2O3 и их смесей, выращенных методом атомно-слоевого осаждения 3. Исследование процесса получения тонкопленочного покрытия для плазменных зондов 4. Исследование основных характеристик эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А3В5 и твердых растворов на их основе 5. Изучение влияния ростовых дефектов гетероэпитаксиальных слоев твердого раствора теллурида кадмия-ртути (ГЭС КРТ) на вольт-фарадные характеристики структур ГЭС КРТ/пассивирующее диэлектрическое покрытие 6. Исследование субмикронных порошков Lu1-xYxBO3:Eu,Ce методами растровой электронной микроскопии, катодолюминесценции и элементного микроанализа 7. Исследование структуры и свойств тонких пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x 8. Изучение возможности использования пленки метастабильного твердого GeO как перспективного материала для нанотехнологии 9. Исследование нанокластеров кремния в пленках оксида и нитрида кремния с применением микроскопии и рентгеновского анализа 10. Синтез и изучение электрофизических свойств ультратонких углеродных пленок 11. Изучение метрологических характеристик сканирующих головок атомно-силового микроскопа, используемых для контроля технологических операций в микро- и наноэлектронике 12. Разработка криогенного фильтра низких частот на основе интегральных тонкопленочных конденсаторов
профинансировано
Тема
Разработка технологии химического синтеза из газовой фазы тонкопленочных материалов, обеспечивающих создание структур для устройств памяти.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка кластерной технологии планаризации поверхности полупроводниковых, диэлектрических и металлических материалов для создания нового поколения приборов и устройств для различных отраслей промышленности
Продолжительность работ
2014 - 2016, 26 мес.
Бюджетные средства
80 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка метода получения наноструктурированных металлических элементов на поверхности диэлектриков с использованием лазерного осаждения металла из жидкой фазы для создания элементов устройств современной фотоники и микроэлектроники с участием научных организаций Финляндии.
Продолжительность работ
2009 - 2010, 12 мес.
Бюджетные средства
4 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка нового класса функциональных полупроводниковых структур на подложках из широкозонных полупроводников и диэлектриков.
Продолжительность работ
2017 - 2018, 14 мес.
Бюджетные средства
27 млн
Количество заявок
0
Тема
Разработка композиций и методов получения тонкопленочных покрытий для электрохромных устройств на основе электроактивных полимеров.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
2