Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка технологии химического синтеза из газовой фазы тонкопленочных материалов, обеспечивающих создание структур для устройств памяти.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Продолжительность работ
2005 - 2006, 15 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Разработка технологии осаждения из летучих комплексных и элементоорганических соединений диэлектрических пленок с различными значениями диэлектрической проницаемости; слоев нанокластеров, встроенных в диэлектрик, для создания образцов устройств памяти.

Этапы проекта

1
15.07.2005 - 08.12.2005
Разработаны технологические стадии процесса синтеза нанокластеров германия на поверхности двуокиси кремния, ключевой стадией которых является импульсное низкоэнергетическое воздействие собственными ионами в процессе осаждения германия на SiO(2). Ионное воздействие способствует зарождению новой фазы, что невозможно по механизму термической активации. Полученные структуры соответствуют ультрамалым нанокластерам германия со средним размером 5 нм при поверхностной плотности нанокластеров более 5х1011 см-2.
Разработаны технологические процессы, технологические инструкции и маршрутная карта на химический синтез из газовой фазы тонкопленочных материалов: слоев рутения, меди, двуокиси гафния, карбонитрида кремния, необходимых для изготовления устройств ФЛЭШ - памяти
Развернуть
2
01.01.2006 - 31.08.2006
1. Предмет и цель работы.

….Разработка технологии осаждения из летучих комплексных и элементоорганических соединений диэлектрических пленок рутения и меди, диоксида гафния, карбонитрида кремния и формирования слоев нанокластеров Ge (квантовых точек), встроенных в диэлектрик для создания образцов устройств памяти.

2. Методология проведения работы.

  Оптимизация процессов синтеза диэлектрических пленок выбором температуры осаждения - (300-500)0С, температуры источника вещества-предшественника – (100-150)0С и скорости потока газов – носителей (20-100) см3/мин.; оптимизация процессов формирования структур с квантовыми точками Ge - выбором температуры осаждения (250-300)0С и величины молекулярного потока (0.1-0.15) монослоев Ge/сек.

3. Результаты работы.
Пленки рутения и меди, диоксида гафния, карбонитрида кремния, структура запоминающая с нанокластерами Ge, встроенными в диэлектрик.
Комплекты ТД (ВТД, МК, ТИ, ТУ) на изготовление структур: нанокластеры Ge/SiO2, выращенные методом осаждения в сверхвысоком вакууме; HfO2/Si, выращенная методом газофазного химического осаждения; Cu/рутений/Si, выращенная методом химического осаждения из газовой фазы; SiCxNy/Si(100), выращенная плазмохимическим разложением гексаметилдисилазана; структура запоминающая с нанокластерами Ge, выращенная методом осаждения в сверхвысоком вакууме.

Область применения результатов.

- Изготовление электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств (ЭППЗУ или ФЛЭШ) для вычислительной техники.

5. Выводы.

  Разработанные технологические процессы синтеза и осаждения диэлектрических пленок и структур обеспечивают достижение параметров заданных ТЗ и дают результаты на уровне мировых.
Развернуть
3
01.09.2006 - 31.10.2006
АННОТАЦИЯ
работ, выполненных на отчетном этапе .№3 проекта по теме:
«Разработка технологии химического синтеза из газовой фазы тонкопленочных материалов, обеспечивающих создание структур для устройств памяти» (III очередь)
(Шифр «ИН-13.3/003»)
по Государственному контракту от «04» июля 2005 г. № 02.435.11.2012
и дополнительному соглашению от «20» марта 2006 г. № 1.

1. Предмет и цель работы.
….Разработка технологии осаждения из летучих комплексных и элементоорганических соединений диэлектрических пленок диоксида гафния, карбонитрида кремния, пленок рутения и меди, и формирования слоев нанокластеров Ge (квантовых точек), встроенных в диэлектрик для создания образцов устройств памяти - электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств ЭППЗУ (или ФЛЭШ).

2. Методология проведения работы.
  Оптимизация процессов химического синтеза и осаждения диэлектрических (диоксида гафния, карбонитрида кремния), металлических (алюминия, меди, рутения) и полупроводниковых (германия, кремния) пленок путем выбора температуры источника вещества-предшественника, температуры осаждения, скорости потока газа – носителя, плотности молекулярного потока осаждаемого вещества.

3. Результаты работы.
Представлен научно-технический отчет; отчет о патентных исследованиях по отбору технических решений в отношении объектов техники; комплекты РТД (ВТД, МК, ТИ, ТУ) на изготовление диэлектрических пленок диоксида гафния и карбонитрида кремния и технологию формирования слоев нанокластеров германия, встроенных в диэлектрик.
  Изготовлены макеты и опытные образцы ЭППЗУ на основе структур Al/SiO2/нанокристаллы Ge/SiO2/Si и Al/HfO2/ нанокристаллы Ge/SiCxNy/SiO2/Si с импульсом перепрограммирования длительностью до 10 мс, амплитудой до 10 В и окном памяти до 3 В.

4. Область применения результатов.
  Разработанные технологические процессы химического синтеза диэлектрических пленок и формирования нанокристаллов германия, встроенных в диэлектрик, будут использованы при разработке опытно-конструкторской документации производства быстродействующих ЭППЗУ для вычислительной техники, а также устройств массового сбыта – электронных паспортов, банковских карточек, мобильных телефонов, плееров, цифровых фотоаппаратов, видеокамер. Это открывает возможность выхода РФ на гражданский рынок востребованной конкурентоспособной наукоемкой высокотехнологичной электронной продукции в настоящее время закупаемой за рубежом.

5. Выводы.
  Разработанные технологические процессы синтеза диэлектрических, полупроводниковых и металлических тонких пленок обеспечивают возможность изготовления ЭППЗУ с параметрами заданными ТЗ и дают результаты на уровне мировых.

Исполнитель:
Ректор Томского госуниверситета
_______________ Г.В. Майер

Руководитель работ:
Руководитель Научного Управления
_______________ И.В. Ивонин
«26» октября 2006 г.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.3 Прикладные разработки в рамках системы приоритетных направлений
Продолжительность работ
2010 - 2012, 30 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Организация
МФТИ
профинансировано
Проведение поисковых научно-исследовательских работ в области электроники и перспективных материалов в интересах высокотехнологичных секторов экономики с использованием современной экспериментальной базы : 1. Исследование интегрально-оптического модулятора на ниобате лития, выполненного на базе протонообменных канальных волноводов 2. Рентгеновские исследования планарных наноразмерных структур на основе TiO2, Al2O3 и их смесей, выращенных методом атомно-слоевого осаждения 3. Исследование процесса получения тонкопленочного покрытия для плазменных зондов 4. Исследование основных характеристик эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А3В5 и твердых растворов на их основе 5. Изучение влияния ростовых дефектов гетероэпитаксиальных слоев твердого раствора теллурида кадмия-ртути (ГЭС КРТ) на вольт-фарадные характеристики структур ГЭС КРТ/пассивирующее диэлектрическое покрытие 6. Исследование субмикронных порошков Lu1-xYxBO3:Eu,Ce методами растровой электронной микроскопии, катодолюминесценции и элементного микроанализа 7. Исследование структуры и свойств тонких пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x 8. Изучение возможности использования пленки метастабильного твердого GeO как перспективного материала для нанотехнологии 9. Исследование нанокластеров кремния в пленках оксида и нитрида кремния с применением микроскопии и рентгеновского анализа 10. Синтез и изучение электрофизических свойств ультратонких углеродных пленок 11. Изучение метрологических характеристик сканирующих головок атомно-силового микроскопа, используемых для контроля технологических операций в микро- и наноэлектронике 12. Разработка криогенного фильтра низких частот на основе интегральных тонкопленочных конденсаторов
Продолжительность работ
2010, 2 мес.
Бюджетные средства
2 млн
Организация
МФТИ
профинансировано
Тема
Разработка технологии химического синтеза из газовой фазы тонкопленочных материалов, обеспечивающих создание структур для устройств памяти.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка кластерной технологии планаризации поверхности полупроводниковых, диэлектрических и металлических материалов для создания нового поколения приборов и устройств для различных отраслей промышленности
Продолжительность работ
2014 - 2016, 26 мес.
Бюджетные средства
80 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка метода получения наноструктурированных металлических элементов на поверхности диэлектриков с использованием лазерного осаждения металла из жидкой фазы для создания элементов устройств современной фотоники и микроэлектроники с участием научных организаций Финляндии.
Продолжительность работ
2009 - 2010, 12 мес.
Бюджетные средства
4 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка нового класса функциональных полупроводниковых структур на подложках из широкозонных полупроводников и диэлектриков.
Продолжительность работ
2017 - 2018, 14 мес.
Бюджетные средства
27 млн
Количество заявок
0
Тема
Разработка композиций и методов получения тонкопленочных покрытий для электрохромных устройств на основе электроактивных полимеров.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
2