Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка технологии радиационного модифицирования свойств квазиподложек GaN и AlGaN.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.435.11.2027
Продолжительность работ
2005 - 2006, 11 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Внебюджетные средства
0 млн

разработка опытной технологии получения радиационно-стойких квазиподложек GaN и AlGaN диаметром до 50 мм и толщиной до 150 мкм на основе эпитаксиальных радиационных методов.

Соисполнители

Организация
АО "Гиредмет"

Этапы проекта

1
10.11.2005 - 02.12.2005
Разработана, собрана и испытана экспериментальная установка для выращивания квазиподложек GaN и AlGaN методом хлорид-гидридной эпитаксии. Определены оптимальные требования к исходным квазиподложкам GaN и AlGaN для реализации технологии радиационного модифицирования. Проведены эксперименты и измерены свойства образцов. Определены задачи патентных исследований, виды исследований и методы их проведения. Разработано задание на проведение патентных исследований. Оформлено ноу-хау на технологические операции радиационного модифицирования свойств квазиподложек GaN и AlGaN.
Развернуть
2
03.12.2005 - 23.12.2005
3
01.01.2006 - 30.06.2006
1. Мероприятие 1.3:
Разработана технология высокоскоростного осаждения пленок GaN толщиной до 150 мкм, в т.ч.:
- разработана РТД на технологию высокоскоростного осаждения пленок GaN.
Разработана технология радиационного модифицирования свойств квазиподложек GaN на базе исследовательского ядерного реактора ВВР-ц, в т.ч.:
- выпущена опытная партия радиационно-стойких квазиподложек GaN;
- изучены характеристики и свойства получаемых радиационно-модифицированных квазиподложек GaN в зависимости от условий выращивания.
Скорректирована технология выращивания с целью повышения радиационной стойкости материала. Разработана программа и методики предварительных испытаний. Проведены предварительные испытания опытной партии радиационно-стойких квазиподложек GaN. Радиационно-стойкие квазиподложки GaN выдержали испытание однородности распределения электрофизических характеристик изделия по площади пластины и испытание электрофизических характеристик изделия на радиационную стойкость. Значения электрофизических параметров радиационно-стойких квазиподложек GaN после облучения флюенсом быстрых нейтронов ~ (1-2)•1016 см-2 не изменились в пределах погрешности измерения.
2. Мероприятие 2.10:
Проведены патентные исследования по ГОСТ Р15.011-96 «СРППП. Патентные исследования». Проведенные патентные исследования показали, что на территории Российской Федерации технологии радиационного модифицирования свойств квазиподложек GaN и AlGaN являются патентно-чистой технологией, т.е. не подпадающей под действие охранных документов третьих лиц. Научно-технический Совет Филиала ФГУП «НИФХИ им. Л.Я. Карпова» постановил признать работу ИН-13.3/010/004 по этапу №3 выполненной в установленный срок и принятой.
Развернуть
4
01.07.2006 - 31.10.2006
Достигнутые при выполнении проекта результаты позволили выдать практические рекомендации для получения радиационно-модифицированных квазиподложек AlGaN, высококачественных эпитаксиальных пленок и приборных структур на основе на них, что послужит основой для решения задач будущего полупроводникового приборостроения в области создания излучателей синего и УФ-света, детекторов и силовых высокочастотных электронных приборов, работающих при высоких температурах, лазеров, генерирующих синий свет, диодов, испускающих УФ, видимый и белый свет, фотодетекторов, нечувствительных к видимому свету, фотодетекторных матриц и линеек, высокомощных выпрямителей, высокотемпературных мощных полевых транзисторов. Данные знания могут быть использованы ведущими российскими компаниями и научно-исследовательскими институтами (ЛФТИ им А.Ф. Иоффе, г. Санкт-Петербург; ФГУП НИИПП, г. Томск; ЗАО "Элма-Малахит", г. Зеленоград; ФГУП "Пульсар", г. Москва; ГНПП "Исток", г. Фрязино; ЗАО "Светлана", г. Санкт-Петербург), занимающимися разработка приборов методами металлорганической и молекулярно лучевой эпитаксией на нитридах III группы.

5. Выводы.
Разработана и освоена технологии высокоскоростного осаждения пленок AlGaN и радиационного модифицирования свойств квазиподложек AlGaN на базе исследовательского ядерного реактора ВВР-ц. Проведены предварительные и государственные приемочные испытания опытной партии радиационно-стойких квазиподложек AlGaN. Из радиационно-стойких квазиподложек GaN и AlGaN изготовлены многослойные структуры и проведены сравнительные исследования параметров. Подготовлены 2 заявки в Роспатент на выдачу патентов.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.3 Прикладные разработки в рамках системы приоритетных направлений
Продолжительность работ
2013, 4 мес.
Бюджетные средства
5 млн
профинансировано
Продолжительность работ
2009 - 2011, 24 мес.
Бюджетные средства
3,9 млн
Организация
НИТУ "МИСиС", МИСиС
профинансировано
Тема
Разработка технологии радиационного модифицирования свойств квазиподложек GaN и AlGaN.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10,5 млн
Количество заявок
3
Тема
Исследование процессов эпитаксиального роста гетероструктур для источников излучения в глубоком УФ-диапазоне (260 – 300 нм) и электронных и оптических явлений в таких структурах.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
6,3 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка инновационной технологии производства на основе многоуровневого компьютерного моделирования структуры и свойств термо-, огне- и/или радиационно-стойких композиционных материалов и покрытий, модифицированных наночастицами (фуллерены, углеродные нанотрубки, оксид кремния и/или оксиды металлов)
Продолжительность работ
2017 - 2018, 14 мес.
Бюджетные средства
46 млн
Количество заявок
0
Тема
Разработка технологии и организация опытного производства гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на кремниевых подложках для изделий силовой микроэлектроники.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 17 мес.
Бюджетные средства
100 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка радиационных технологий получения и организация опытного производства нового поколения нанокомпозиционных полимерных материалов с углеродным наполнителем с уникальным сочетанием физико-химических свойств.
Продолжительность работ
2009 - 2011, 26 мес.
Бюджетные средства
120 млн
Количество заявок
2