Разработка,структурная и пераметрическая оптимизация перспективных технологических процессов плазменно-иммерсионной имплантации для получения новых материалов на рснове полупроводниковых и диэлектрических пленок.

Проведены теоретические и экспериментальные исследования в области тлеющего разряда с электростатическим удержанием электронов и его применения для плазменно-иммерсионной имплантации.
Создано: экспериментальное оборудование на основе тлеющего разряда с электростатическим удержанием электронов для плазменно-иммерсионной имплантации; исследована кинетика тлеющего разряда с электростатическим удержанием электронов; построены зависимости между изменениями характеристик тонких поверхностных слоев материалов и условиями их имплантации; оптимизированы режимы обработки изделий из различных материалов, разработаны типовые технологические карты.
Основные технологические показатели: высокий энергетический КПД процесса иммерсионной имплантации, превышающий 55 %; полное отсутствие рентгеновского излучения; температура процесса имплантации, не превышает 200 оС, что позволяет производить обработку материалов с низкой теплостойкостью.
Эффективность разработанных технологических процессов определяется существенным увеличением ресурса работы и показателей надежности имплантированных изделий.
Разработанная технология может быть использована на предприятиях, занимающихся изготовлением элементов радиоэлектронной аппаратуры, робототехники, вычислительной техники, технических средств связи, металлообрабатывающего инструмента и т.д.