Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка,структурная и пераметрическая оптимизация перспективных технологических процессов плазменно-иммерсионной имплантации для получения новых материалов на рснове полупроводниковых и диэлектрических пленок.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.442.11.7064
Продолжительность работ
2005, 1 мес.
Бюджетные средства
0,36 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
27.10.2005 - 25.11.2005
Проведены теоретические и экспериментальные исследования в области тлеющего разряда с электростатическим удержанием электронов и его применения для плазменно-иммерсионной имплантации.
Создано: экспериментальное оборудование на основе тлеющего разряда с электростатическим удержанием электронов для плазменно-иммерсионной имплантации; исследована кинетика тлеющего разряда с электростатическим удержанием электронов; построены зависимости между изменениями характеристик тонких поверхностных слоев материалов и условиями их имплантации; оптимизированы режимы обработки изделий из различных материалов, разработаны типовые технологические карты.
Основные технологические показатели: высокий энергетический КПД процесса иммерсионной имплантации, превышающий 55 %; полное отсутствие рентгеновского излучения; температура процесса имплантации, не превышает 200 оС, что позволяет производить обработку материалов с низкой теплостойкостью.
Эффективность разработанных технологических процессов определяется существенным увеличением ресурса работы и показателей надежности имплантированных изделий.
Разработанная технология может быть использована на предприятиях, занимающихся изготовлением элементов радиоэлектронной аппаратуры, робототехники, вычислительной техники, технических средств связи, металлообрабатывающего инструмента и т.д.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.9 Проведение молодыми учеными научных исследований по приоритетным направлениям науки, высоких технологий и образования
Тема
Получение кристаллических металлических и полупроводниковых нанопроводов в диэлектрической матрице из собственного оксида и исследование их структурных и электрофизических свойств.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 20 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологических основ получения функциональных полупроводниковых, диэлектрических и проводящих материалов для перспективных приборных разработок
Продолжительность работ
2007 - 2008, 19 мес.
Бюджетные средства
100 млн
Количество заявок
43
Тема
Разработка методов атомно-слоевого осаждения диэлектрических, полупроводниковых и металлических покрытий на наноструктурированные поверхности.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка кластерной технологии планаризации поверхности полупроводниковых, диэлектрических и металлических материалов для создания нового поколения приборов и устройств для различных отраслей промышленности
Продолжительность работ
2014 - 2016, 26 мес.
Бюджетные средства
80 млн
Количество заявок
2
Тема
Комплексное исследование и оптимизация технологических процессов тепломассообмена в плавильных агрегатах для различного сырья.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 17 мес.
Бюджетные средства
13 млн
Количество заявок
0