Регистрация / Вход
Прислать материал

Модель зарядопереноса в структурах с барьером Шоттки к высокоомным эпитаксиальным слоям.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.442.11.7139
Организация
ФГБОУ ВО "ВГТУ"
Продолжительность работ
2005, 1 мес.
Бюджетные средства
0,36 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
27.10.2005 - 25.11.2005
Предложены модель и метод быстрого извлечения основных статических параметров диодных структур Шоттки (высоты барьера, плотности тока насыщения, сопротивления базы), основанный на модифицированной аналитической модели Чуанга. Модель включает аналитическое решение одномерного уравнения переноса и учитывает модуляцию сопротивления базы, что приводит к трансцендентным уравнениям, для решения которых существуют стандартные высокоскоростные алгоритмы.
Предлагаемый метод может быть применен для 100%-го неразрушающего контроля параметров диодов Шоттки в процессе их производства.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.9 Проведение молодыми учеными научных исследований по приоритетным направлениям науки, высоких технологий и образования
Продолжительность работ
2009 - 2010, 13 мес.
Бюджетные средства
0,7 млн
Организация
НИТУ "МИСиС", МИСиС
профинансировано
Продолжительность работ
2017 - 2020, 35 мес.
Бюджетные средства
30 млн
профинансировано
Продолжительность работ
2017 - 2020, 32 мес.
Бюджетные средства
9 млн
профинансировано
Продолжительность работ
2009 - 2010, 12 мес.
Бюджетные средства
0,8 млн
Организация
ДВФУ
профинансировано
Тема
Разработка физико-технологических основ интегрированных Шоттки-pn (JBS) - структур на основе карбида кремния, создание и испытание лабораторных образцов высокотемпературных (до 250oC), высоковольтных (не менее 1500 В) 4H-SiC JBS-диодов.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Высококачественные кристаллы и эпитаксиальные структуры полупроводниковых соединений А2В6, синтезируемые с использованием контролируемых воздействий на примесно-дефектное состояние системы.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 13 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование процессов эпитаксиального роста гетероструктур для источников излучения в глубоком УФ-диапазоне (260 – 300 нм) и электронных и оптических явлений в таких структурах.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
6,3 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка метода получения высокоомных слоев нитрида алюминия на карбиде кремния.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка стандартизованной методики измерений локальной электропроводности высокоомных наноструктурированных материалов методом сканирующей зондовой микроскопии.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
1 млн
Количество заявок
1