Модель зарядопереноса в структурах с барьером Шоттки к высокоомным эпитаксиальным слоям.

Предложены модель и метод быстрого извлечения основных статических параметров диодных структур Шоттки (высоты барьера, плотности тока насыщения, сопротивления базы), основанный на модифицированной аналитической модели Чуанга. Модель включает аналитическое решение одномерного уравнения переноса и учитывает модуляцию сопротивления базы, что приводит к трансцендентным уравнениям, для решения которых существуют стандартные высокоскоростные алгоритмы.
Предлагаемый метод может быть применен для 100%-го неразрушающего контроля параметров диодов Шоттки в процессе их производства.