Приемники терагерцового диапазона для информационно-телекоммуникационных систем на основе сверхпроводящих смесителей на эффекте электронного разогрева.

При выполнении работы были получены следующие результаты:
1. Разработана технология напыления ультратонких пленок NbN на GaAs подложки. Согласно разработанному технологическому маршруту, созданы пленки с критической температурой 9.4 К при ширине сверхпроводящего перехода 0.3-0.6 К.
2. Разработана топология смесительных элементов. Разработан технологический маршрут, на основе которого созданы сверхпроводящие смесители, оптимизированные на частоту 30 ТГц с критической температурой 8 К при ширине перехода 0.6 К.
3. Исследована нестабильность и оптимизированы параметры газоразрядного СО2 лазера. Значение нестабильности мощности не превышало 10 % от уровня мощности гетеродина.
4. Исследована зависимость шумовой температуры от напряжения смещения и уровня мощности гетеродина для приемников на частоте 30 ТГц. Минимальное значение шумовой температуры не превышает 2300 К.
5. Произведена оценка оптимальной поглощенной мощности гетеродина, требуемой для смесителя. Для смесителя размерами 30х20 мкм оно не превышает 16 мкВт.
6. Исследована диаграмма направленности приемника, оптимизированного на частоту 30 ТГц.
7. Исследована зависимость вольт-ваттной чувствительности от частоты падающего излучения для NbN приемника в частотном диапазоне 20-70 ТГц. Обнаружено, что в частотном диапазоне 30-60 ТГц величина вольт-ваттной чувствительности не зависела от частоты и приближалась к 70 В/Вт.