Прислать материал
Получение новых полупроводниковых материалов в системе (B In Ga)As методом металлоорганической газофазной эпитаксии.
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.442.11.7229
Организация
ИПФ РАН
Продолжительность работ
2005, 1 мес.
Бюджетные средства
0,36 млн
Внебюджетные средства
0 млн
Информация отсутствует
Этапы проекта
1
27.10.2005 - 25.11.2005
В системе (B,In,Ga)As были выращены полупроводниковые гетероструктуры на подложках GaAs методом МОГФЭ.
Отработаны методики получения слоев BxGa1-xAs с содержанием бора до 1,4% и толщинами до 0,5 мкм. Показано, что увеличение концентрации B>2% приводит к деградации поверхности и гашению люминесценции в полупроводниковых структурах.
Впервые получены квантовые точки BInAs. Измеряны спектры люминесценции для полученных образцов. Показана возможность управления длиной волны излучения из квантовых точек BInAs в диапазоне 1,2-1,3 мкм при температуре 300К. Установлено, что плотность квантовых точек, люминесцирующих на длине волны 1,3 мкм, составляет 2*1010 см-2, что гораздо выше, чем у точек InAs (≤5*109 см-2).
Отработаны методики получения слоев BxGa1-xAs с содержанием бора до 1,4% и толщинами до 0,5 мкм. Показано, что увеличение концентрации B>2% приводит к деградации поверхности и гашению люминесценции в полупроводниковых структурах.
Впервые получены квантовые точки BInAs. Измеряны спектры люминесценции для полученных образцов. Показана возможность управления длиной волны излучения из квантовых точек BInAs в диапазоне 1,2-1,3 мкм при температуре 300К. Установлено, что плотность квантовых точек, люминесцирующих на длине волны 1,3 мкм, составляет 2*1010 см-2, что гораздо выше, чем у точек InAs (≤5*109 см-2).
Программа
Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы
Программное мероприятие
1.9 Проведение молодыми учеными научных исследований по приоритетным направлениям науки, высоких технологий и образования
Источник активного азота на основе ЭЦР разряда, поддерживаемого излучением гиротрона для металлоорганической газофазной эпитаксии широкозонных полупроводниковых материалов
профинансировано
Компьютерное моделирование гибридных полупроводниковых и металлоорганических наноматериалов и нанофотонных устройств на их основе
профинансировано
Синтез и электронно-оптические характеристики активных слоёв на основе металлоорганических комплексов и полупроводниковых наночастиц для OLED-устройств
профинансировано
Разработка научных основ технологии выращивания наногетероэпитаксиальных P+/n структур узкозонных полупроводников методом молекулярно-лучевой эпитаксии для матричных инфракрасных фотоприемников и тепловизоров
профинансировано
"Исследование процессов гетероэпитаксии и самоформирования квантоворазмерных наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений типа А3В5,А4В4 и А2В6, включая нитриды металлов третьей группы для новых поколений приборов наноэлектроники и фотовольтаики".
профинансировано