Регистрация / Вход
Прислать материал

Проведение научных исследований молодыми учеными. Ударное возбуждение и излучательная релаксация ионов эрбия в одно и многодиодных структурах на основе кремния и кремний-германия.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.442.11.7343
Организация
ИПФ РАН
Продолжительность работ
2006, 8 мес.
Бюджетные средства
0,4 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
28.02.2006 - 31.05.2006
• Проведено численное моделирование ударного возбуждения ионов эрбия горячими носителями в режиме электрического пробоя светоизлучающей диодной структуры Si:Er/Si.
• Методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии изготовлены следующие электролюминесцентные диодные структуры на основе Si:Er, исследование которых предусмотрено на втором этапе НИР:
- диодные ЭЛ структуры с однородным легированием активной области, излучающие в режимах туннельного, лавинного и смешанного пробоя p-n перехода;
- туннельно-пролетные ЭЛ структуры с пространственным разделением областей формирования потока горячих носителей и ударного возбуждения ионов Er3+;
- периодические диодные структуры с модулированным распределением напряженности электрического поля в области пространственного заряда, формируемые на базе p+-p-n-…p-n-n+ структур с позиционированием примеси Er в n областях;
- периодические многодиодные структуры p+-n-n+-…p+-n-n+ типа, представляющие собой серию последовательно включенных активных диодных пар, использующие принцип мультиплицирования сигнала пропорционально числу диодных ячеек.
• Изготовлены и исследованы структуры Si/Si1-хGeх:Er/Si с толщинами активных гетерослоев ~ 1 мкм и содержанием германия ? 30.
Развернуть
2
01.06.2006 - 02.10.2006
Исследованы факторы, определяющие эффективность ударного возбуждения ионов эрбия в диодных светоизлучающих структурах Si:Er/Si при комнатной температуре. Для этого в диодных структурах с различными профилем легирования и распределением поля по ширине области пространственного заряда (ОПЗ), были изучены экспериментально и рассчитаны численно эффекты, связанные с различной эффективностью возбуждения ионов эрбия горячими электронами и горячими дырками и учитывающие распределение электронной и дырочной компонент тока накачки по ширине ОПЗ структур, изучены пороговые эффекты, наблюдаемые при импульсной токовой накачке диодных структур Si:Er/Si, излучающих в режиме пробоя p/n-перехода.
Выполнен цикл исследований по влиянию температуры на электролюминесцентные свойства (интенсивность люминесценции, эффективные сечения возбуждения и времена жизни ионов Er3+) светоизлучающих диодных структур Si:Er/Si, излучающих в режиме пробоя p/n-перехода при ударном возбуждении ионов Er3+. Исследованы эффекты температурного возгорания и тушения ЭЛ ионов Er3+, проанализирована связь наблюдаемых эффектов с механизмом пробоя p/n-перехода, сформулированы условия, выполнение которых позволит увеличить интенсивность ЭЛ и эффективность возбуждения ионов Er3+ при комнатной температуре.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.9 Проведение молодыми учеными научных исследований по приоритетным направлениям науки, высоких технологий и образования
Продолжительность работ
2011 - 2013, 29 мес.
Бюджетные средства
1,4 млн
профинансировано
Продолжительность работ
2012 - 2013, 13 мес.
Бюджетные средства
0,74 млн
Организация
ИПФ РАН
профинансировано
Тема
Разработка базовых методов синтеза полупроводникового материала с промежуточной зоной на основе наногетероструктур с квантовыми точками германия в кремнии.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка конструктивно-технологических решений в области высокотемпературной микроэлектроники на структурах кремний на изоляторе
Продолжительность работ
2014 - 2016, 25 мес.
Бюджетные средства
44,1 млн
Количество заявок
3
Тема
«Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники».
Продолжительность работ
2011 - 2013, 31 мес.
Бюджетные средства
240 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка методов создания нанопроволочных систем на основе структур кремния на изоляторе для нового поколения высокочувствительных биосенсоров.
Продолжительность работ
2009 - 2010, 12 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Количество заявок
2
Тема
«Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (микрофотонные комплексированные системы на основе кремния)».
Продолжительность работ
2012 - 2013, 18 мес.
Бюджетные средства
14 млн
Количество заявок
1