Регистрация / Вход
Прислать материал

Проведение научных исследований молодыми учеными. Кинетически контролируемое формирование эпитаксиальных наноструктур в системе материалов A3B5.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.442.11.7428
Организация
СПбФТНОЦ РАН
Продолжительность работ
2006, 8 мес.
Бюджетные средства
0,6 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
20.02.2006 - 31.05.2006
Проведены теоретические и экспериментальные исследования кинетических механизмов формирования квантовых точек и манометровых нитевидных кристаллов в системе материалов АЗВ5. Построены теоретические модели формирования квантовых точек и манометровых нитевидных кристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии, проведены ростовые эксперименты в системах InAs/GaAs(100) и Ga(Al)As/GaAs(lll)B-Au, впервые получен ряд новых результатов по зависимости структурных свойств эпитаксиальных наноструктур от технологически контролируемых условий роста.
Развернуть
2
01.06.2006 - 02.10.2006
В ходе работ были построены теоретические модели формирования квантовых точек и нанометровых нитевидных кристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии, проведены ростовые эксперименты в системах InAs/GaAs(100) и Ga(Al)As/GaAs(111)B-Au, впервые получен ряд новых результатов по зависимости структурных свойств эпитаксиальных наноструктур от технологически контролируемых условий роста.
Были проведены ростовые эксперименты по формированию InAs квантовых точек и Ga(Al)As нанометровых нитевидных кристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Была продемонстрирована возможность выращивания InAs квантовых точек с контролируемым средним размером в диапазоне 10-25 нм и поверхностной плотностью до 1011 см-2. Была продемострирована возможность выращивания Ga(Al)As нанометровых нитевидных нанокристаллов с контролируемым диаметром в диапазоне 40-200 нм, поверхностной плотностью 109 см-2 и длиной до 15 мкм.
Была проведена диагностика InAs/GaAs(100) квантовых точек и Ga(Al)As/GaAs(111)B-Au нитевидных нанокристаллов методами дифракции быстрых электронов на отражение, растровой электронной микроскопии, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции, сравнение экспериментальных результатов с предсказаниями теории.
- Были получены теоретические и экспериментальные результаты по зависимости среднего размера, плотности, разброса по размерам, положения линии фотолюминесценции InAs квантовых точек от температуры поверхности, скорости роста InAs и времени экспозиции структуры в потоке мышьяка.
- Были получены теоретические и экспериментальные результаты по зависимости длины ННК от диаметра капли, температуры поверхности, скорости осаждения, соотношения потоков и количества осажденного материала.
- Были созданы методики расчета и программное средство для расчета морфологических свойств наноструктур в зависимости от условий их выращивания.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.9 Проведение молодыми учеными научных исследований по приоритетным направлениям науки, высоких технологий и образования
Продолжительность работ
2009 - 2010, 11 мес.
Бюджетные средства
2,75 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
Продолжительность работ
2009 - 2010, 12 мес.
Бюджетные средства
0,8 млн
Организация
ДВФУ
профинансировано
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИФМ РАН
профинансировано
Тема
Высококачественные кристаллы и эпитаксиальные структуры полупроводниковых соединений А2В6, синтезируемые с использованием контролируемых воздействий на примесно-дефектное состояние системы.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 13 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Туннельно-связанные полупроводниковые наноструктуры для эпитаксиально-интегрированных мощных источников излучения.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Наноструктурированные полупроводниковые эпитаксиальные слои на кремнии для тепловизионных устройств нового типа.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Организационно-техническое обеспечение проведения всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи «Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники».
Продолжительность работ
2010, 7 мес.
Бюджетные средства
0,8 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка технологий получения эпитаксиальных широкозонных гетероструктур для нового поколения СВЧ- и/или силовых приборов
Продолжительность работ
2014 - 2016, 26 мес.
Бюджетные средства
80 млн
Количество заявок
5