Регистрация / Вход
Прислать материал

Проведение научных исследований молодыми учеными. Параметрическая генерация излучения терагерцового диапазона в двухчастотных полупроводниковых лазерах и волноводах на основе наноструктур А3В5.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.442.11.7516
Организация
ИПФ РАН
Продолжительность работ
2006, 7 мес.
Бюджетные средства
0,4 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
06.03.2006 - 31.05.2006
• Теоретически исследована эффективность генерации излучения на
разностной частоте среднего и дальнего ИК диапазонов при выполнении
условия фазового синхронизма в полупроводниковом волноводе на основе
фосфида галлия.
• Изготовлены опытные экземпляры инжекционных полупроводниковых
лазеров с увеличенной длиной резонатора на часть поверхности, которых
наносилась металлическая.дифракционная решетка,
Изготовлены опытные экземпляры инжекционных полупроводниковых
лазеров со сверхшироким волноводом и проведен сравнительный анализ
рабочих характеристик этих лазеров по сравнению с обычными лазерами
Развернуть
2
01.06.2006 - 02.10.2006
В ходе выполнения проекта рассмотрена возможность эффективной генерации излучения на разностной частоте среднего и дальнего ИК диапазонов при выполнении условия фазового синхронизма между волной нелинейной поляризации и разностной модой при распространении в полупроводниковом волноводе на основе фосфида галлия (GaP) двух фундаментальных мод в диапазоне 1 мкм. В планарном волноводе с шириной 100 мкм при мощностях коротковолновых мод 10 Вт мощность разностной моды может достигать до 300 мкВт в области частот 1 – 8 ТГц при комнатной температуре. При использовании подложки из кремния для структуры с GaP волноводом мощность разностной моды при тех же условиях может достигать до 5 мВт в области частот 10 – 14 ТГц.
Были изготовлены опытные экземпляры инжекционных полупроводниковых лазеров с увеличенной длиной резонатора на часть поверхности, которых наносилась металлическая дифракционная решетка.
Для увеличения мощности фундаментальных частот генерации в области ближнего ИК диапазона были изготовлены лазеры с увеличенной толщиной волновода и асимметричным расположением квантовых ям в резонаторе полупроводникового лазера с целью уменьшения оптических потерь.
Реализован инжекционный лазерный диод с дифракционной металлической решеткой, предназначенной для создания излучения разностной частоты.
Впервые получена и исследована двухчастотная генерация в новом классе диодных лазеров – межзонном каскадном лазере с туннельным переходом, разделяющем две активные области квантовых ям, сосредоточенные в одном и том же волноводе. Данная конструкция лазера снижает конкуренцию при генерации длинноволновых и коротковолновых мод и позволяет обеспечить внутрирезонаторное нелинейное смешение этих мод, а следовательно, получить когерентное излучение дальнего или среднего ИК диапазона без инверсии населённостей внутризонных переходов при комнатной температуре и инжекционной накачке (непрерывной или длинными импульсами).
Предложена конструкция субпикосекундного полупроводникового лазера, позволяющая получить мощности порядка 2 милливатт в дальнем ИК диапазоне при комнатной температуре
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.9 Проведение молодыми учеными научных исследований по приоритетным направлениям науки, высоких технологий и образования
Продолжительность работ
2009 - 2011, 20 мес.
Бюджетные средства
3,6 млн
Организация
ИПФ РАН
профинансировано
Тема
Источники и приемники терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур Si/Ge и A3B5.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование полупроводниковых наноструктур для генераторов микроволнового излучения и поляритонных лазеров.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Туннельно-связанные полупроводниковые наноструктуры для эпитаксиально-интегрированных мощных источников излучения.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов и структур, разработка технологических принципов их изготовления (полупроводниковый приемник для терагерцового диапазона частот 0,5 – 5,0 ТГц).
Продолжительность работ
2013 - 2015, 25 мес.
Бюджетные средства
19,5 млн
Количество заявок
1