Регистрация / Вход
Прислать материал

Проведение научных исследований молодыми учеными. Создание вертикально-излучающих полупроводниковых лазеров и светодиодов на основе новой технологии фуллереновых фотонных кристаллов.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.442.11.7566
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
Продолжительность работ
2006, 7 мес.
Бюджетные средства
0,4 млн
Внебюджетные средства
0 млн

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
06.03.2006 - 31.05.2006
1.Выбрана требуемая конструкция лазера. В результате, структуры для вертикально-излучающего лазера (ВИЛ) были выращены с активной областью на базе InGaAs квантовых точек и с двумя легированными полупроводниковыми зеркалами с выводом излучения через верхний р-РБО. Была получена лазерная генерация.
2. Создана компьютерная программа управления положением пучка в растровом электронном микроскопе CamScan Series 4 DV 100.
3. Разработана методика прямой электронной литографии и последующего травления в органическом растворителе (толуол) по субмикронным пленкам фуллеренов С60 на поверхности полупроводниковых подложек GaAs и Si. Сформированы двумерные массивы структур столбчатой и сетчатой конфигурации. Достигнутое разрешение составляет 250 нм при высоте структур порядка 700 нм.
4. Защищена диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10);
5. Подготовлена и направлена в печать статья
Развернуть
2
01.06.2006 - 02.10.2006
• выбрана конструкция и выращены ВИЛ с активной областью на базе InGaAs квантовых точек и с двумя легированными полупроводниковыми зеркалами с выводом излучения через верхний p-РБО (распределённый брэгговский отражатель, p- типа);
• сделан доклад на международной конференции Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors «Cathodoluminescence studies of C60 fullerene-based films and nanostructures» BIAMS International Conference St.-Petersburg, June 11–15 2006;
• подана заявка на патент «Способ получения углеродных наноструктур», дата поступления 23.07.06, вх. № 025632, рег. № 2006123613;
• отрецензирована и направлена в печать статья «Cathodoluminescence studies of C60 fullerene-based films and nanostructures» // Nashchekin A.V., Baryshev S.V., Sokolov R.V., Usov O.A. Semiconductors, to be published (2007);
• экспериментально апробирован метод подавления генерации мод высокого порядка путем формирования фотонного кристалла в верхнем распределенном брэгговском отражателе. С помощью метода эффективного показателя преломления определены параметры ФК, соответствующие режиму одномодового эффективного волновода;
• с применением новой фуллереновой технологии создана лабораторная модель ВИЛ, с субмонослойными InGaAs квантовыми точками в качестве активной области и оксидной токовой апертурой диаметром 20 мкм;
• продемонстрирована пространственно-одномодовая и одночастотная генерация с максимальной выходной оптической мощностью 3.8 мВт и фактором подавления боковых мод более 35 дБ во всем диапазоне токов накачки.
• продемонстрирована пространственно-одномодовая и одночастотная генерация с максимальной выходной оптической мощностью 3.8 мВт и фактором подавления боковых мод более 35 дБ во всем диапазоне токов накачки.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.9 Проведение молодыми учеными научных исследований по приоритетным направлениям науки, высоких технологий и образования
Продолжительность работ
2014 - 2016, 30 мес.
Бюджетные средства
43,5 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
Продолжительность работ
2015 - 2016, 13 мес.
Бюджетные средства
13 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
Тема
Разработка технологии получения наногетероструктур и мощных полупроводниковых лазеров на их основе, излучающих в оптическом диапазоне 1400-1600 нм.
Продолжительность работ
2014 - 2016, 28 мес.
Бюджетные средства
120 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка методов создания полупроводниковых наноматериалов для высокоэффективных лазеров и светодиодов в спектральной области 0.3-1.5 мкм
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
11
Тема
Создание высокоэффективных полупроводниковых тонкопленочных светодиодов и лазеров видимого и инфракрасного диапазонов с внешним квантовым выходом более 40%.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Полупроводниковые наноструктурированные материалы для лазерных излучателей с вертикальным резонатором.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 15 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1