Выполнение исследований совместимости технологических процессов изготовлени наноразмерных биэпитаксиальных и торцевых джозефсоновских переходов высокотемпературных сверхпроводников для новейших применений в микроэлектронике во время проведения стажировки в Чалмерском технологическом университете, Факультете микротехнологии и наноэлектроники.

Проведены исследования совместимости технологических процессов изготовления наноразмерных биэпитаксиальных и торцевых джозефсоновских переходов высокотемпературных сверхпроводников для новейших применений в микроэлектронике во время проведения стажировки в Чалмерский технологический университет, Факультет микротехнологии и нанолектроники”.
В процессе стажировки получены консультации у признанных научных экспертов и изучено современное состояние научных исследований в области технологии изготовления Джозефсоновских переходов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Освоены современные методы нано-технологии, такие как лазерное напыление тонких пленок, ионного травления, процессы электронной и фотолитографии оксидных материалов с применением маски из аморфного углерода. Изготовлены экспериментальные образцы, содержащие биэпитаксиальные и торцевые джозефсоновские переходы и проведены тестовые измерения указанных образцов. На научном семинаре представлен доклад ”«п»-переходы в цифровой электронике: идеи и перспективы”.