Выполнение исследований совместимости технологических процессов изготовлени наноразмерных биэпитаксиальных и торцевых джозефсоновских переходов высокотемпературных сверхпроводников для новейших применений в микроэлектронике во время проведения стажировки в Чалмерском технологическом университете, Факультете микротехнологии и наноэлектроники.
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.444.11.7009
Организация
ИРЭ им. Котельникова В.А. РАН
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
0,14 млн
Внебюджетные средства
0 млн
Проведение стажировок в зарубежных научно-образовательных центрах
Соисполнители
Организация
ТУЧ
Этапы проекта
1
01.09.2005 - 30.11.2005
Проведены исследования совместимости технологических процессов изготовления наноразмерных биэпитаксиальных и торцевых джозефсоновских переходов высокотемпературных сверхпроводников для новейших применений в микроэлектронике во время проведения стажировки в Чалмерский технологический университет, Факультет микротехнологии и нанолектроники”.
В процессе стажировки получены консультации у признанных научных экспертов и изучено современное состояние научных исследований в области технологии изготовления Джозефсоновских переходов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Освоены современные методы нано-технологии, такие как лазерное напыление тонких пленок, ионного травления, процессы электронной и фотолитографии оксидных материалов с применением маски из аморфного углерода. Изготовлены экспериментальные образцы, содержащие биэпитаксиальные и торцевые джозефсоновские переходы и проведены тестовые измерения указанных образцов. На научном семинаре представлен доклад ”«п»-переходы в цифровой электронике: идеи и перспективы”.
В процессе стажировки получены консультации у признанных научных экспертов и изучено современное состояние научных исследований в области технологии изготовления Джозефсоновских переходов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Освоены современные методы нано-технологии, такие как лазерное напыление тонких пленок, ионного травления, процессы электронной и фотолитографии оксидных материалов с применением маски из аморфного углерода. Изготовлены экспериментальные образцы, содержащие биэпитаксиальные и торцевые джозефсоновские переходы и проведены тестовые измерения указанных образцов. На научном семинаре представлен доклад ”«п»-переходы в цифровой электронике: идеи и перспективы”.
Программа
Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы
Программное мероприятие
1.11 Развитие системы стажировок молодых ученых и преподавателей в крупных научно-образовательных центрах (включая зарубежные) и участие в конференциях, симпозиумах, семинарах, школах (в том числе за рубежом)
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
0,35 млн
Организация
ИРЭ им. Котельникова В.А. РАН
профинансировано
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 3 мес.
Бюджетные средства
0,32 млн
Организация
ИРЭ им. Котельникова В.А. РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 3 мес.
Бюджетные средства
0,32 млн
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 3 мес.
Бюджетные средства
0,04 млн
профинансировано