Выполнение исследования фотоэлектрических и люминесцентных свойств эпитаксиальных слоев GaN во время проведения стажировки в ГОУ ВПО "Новосибирский государственный технический университет".

Краткое описание выполненных работ:
- Проведен обзор современного состояния научных исследований в области синтеза эпитаксиальных структур на основе GaN;
- Осуществлен процесс создания гетероэпитаксиальных структур GaN/SiC;
- Методом ДОБЭ исследован процесс роста эпитаксиальных слоев GaN на подложках из карбида кремния;
- Изучена атомная структура поверхности подложки и эпитаксиального слоя методом АСМ. Анализ АСМ изображений эпитаксиального слоя подтвердил образование гладкой поверхности с морфологией терасса-ступень;
- Разработана методика исследования фотоэлектрических свойств синтезируемых структур;
- Освоена технология синтеза эпитаксиальных слоев широкозонных полупроводников методом молекулярно-лучевой эпитаксии;
- Изучено оборудование и методика исследования поверхности эпитаксиальных слоев с помощью дифракции отраженных быстрых электронов;
- Получены консультации по вопросам изучения структуры и качества кристаллического слоя (анализ АСМ изображений и дифракционных картин ДБОЭ).