"Разработка научных принципов структурно-физической модификации полимеров с целью создания нового поколения нанокомпозиционных полимерных материалов".

В результате исследований, проведенных в данном проекте, был разработан ряд новых методов получения нанокомпозитов и получен ряд новых материалов перспективных для современных технологий.
Получены и обобщены данные по механизму вытяжки полимеров в жидких средах и созданию нанокомпозитов на их основе. Сформулированы основные преимущества метода крейзинга полимеров в жидких средах как универсального метода создания нанокомпозитов.
Созданы нанокомпозиты на основе крупнотоннажных аморфных стеклообразных и кристаллических полимеров, деформированных в жидких средах по механизму классического или делокализованного крейзинга, с добавками антипиренов, металлов, солей металлов, фуллерена, полиэтиленгликолей различной молекулярной массы, поликремневой кислоты. Определены факторы, позволяющие регулировать состав нанокомпозитов, характер распределения и степень дисперсности компонентов. Исследованы структура и физико-механические свойства нанокомпозитов. В непрерывном режиме вытяжки получены негорючие ПЭТФ волокна.
Разработан оригинальный твердофазный метод получения нанокомпозитов на основе биополимера хитозана, графт-сополимера хитозана с поливиниловым спиртом и нанодисперсного оксида титана. Предложен оригинальный метод получения нанокомпозитов на основе хитина и полиакриловой кислоты, полиакриламида и полилактида, состоящего из нанофибрилл наполнителя - хитина, включенных в полимерную матрицу, с широким диапазоном степеней наполнения от 0,05 до 25%.
Путем полимеризации в плазме разряда постоянного тока получены обладающие полупроводящими свойствами нанослои полимера из антрацена, который не является традиционным мономером. Такие слои могут найти применение в микроэлектронике.
Разработан метод газофазной полимеризации получения тонких пленок (толщина от нескольких нм до микрона) гибридных нанокомпозитов на основе полифениленвинилена и различных полупроводников (CdS, TiO2 SnO и др.).