" Развитие новых методов исследования материалов с использованием пучков Y-квантов и заряженных частиц низких и средних энергиях.

1. Методом возбуждения рентгеновской флюоресценции излучением от различных радиоактивных источников исследована нелинейность отклика сверхпроводниковых туннельных детекторов со структурой Ti/Nb/Al,AlOx/Al/Nb/NbN (толщиной 30/100/8/13/150/30 нм).
2. Исследовано влияние водородных дефектов на ток утечки и стабильность управляющих полевых транзисторов в ячейках памяти динамической памяти произвольного доступа (DRAM). Развит метод локализации и определены возможные положения примесных атомов водорода в ячейке решетки кремния, установлены возможные конфигурации атомных водородных дефектов. Исследованы возможные зарядовые состояния этих дефектов и их влияние на сбои во времени удержания информации в ячейках динамической памяти произвольного доступа (DRAM).
Методами резерфордовского и ядерного обратного рассеяния, а также методом ядер отдачи исследован композиционный состав и свойства нанокристаллических покрытий на основе карбида титана. Установлено влияние размера кристаллических зерен на высокочастотные свойства магнитомягких нанокристаллических пленок.
3. Разработан метод измерения профилей концентрации водорода в тонких поверхностных слоях материалов, основанный на анализе спектров обратного ядерного или обратного резерфордовского рассеяния образцов, содержащих и не содержащих водород (в поверхностном слое).
4. Создана камера для исследования радиационной стойкости материалов на ускорителе электронов НИИЯФ МГУ с энергией 0,6 – 1,2 МэВ и максимальной мощностью пучка 60 кВт.