Регистрация / Вход
Прислать материал

"Исследование физических процессов в кремнии и широкозонных материалах с целью создания принципиально новых приборов силовой электроники и оптоэлектроники".

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.445.11.7236
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе

«Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации»

Соисполнители

Организация
ООО "Мегаимпульс"

Этапы проекта

1
05.09.2005 - 04.11.2005
В результате работы разработана теория исследуемых процессов и изготовлены экспериментальные образцы электронных и оптоэлектронных приборов на основе кремния и широкозонных материалов, на которых проведены испытания и разработаны физические модели происходящих в них процессов.
Результаты исследований ударно-ионизационных и туннельно-ударно-ионизационных фронтов в кремнии и карбиде кремния являются базой для создания сверхбыстродействующих мощных переключателей с параметрами примерно на порядок превышающими мировой уровень. Переключатели будут использованы для создания новых систем радиолокации, электромагнитного противодействия и сверхмощных лазеров.
Результаты исследования процессов лазерного напыления тонких пленок GaN и ZnO будут использованы для создания принципиально новой экономичной и экологически чистой технологии изготовления ярких светодиодов видимого спектра.
Управляемые электрическим полем одномерные фотонные кристаллы хорошо подходят для нового класса фотонных интегральных схем, которые будут использованы для оптической обработки информации в информационно-телекоммуникационных системах.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.12 Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1,28 млн
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИОФ РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ФИЦ КазНЦ РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИАПУ ДВО РАН
профинансировано
Тема
Разработка технологии и оборудования для обеспечения производства подложек нитрида галлия приборов электроники и оптоэлектроники на основе широкозонных полупроводников.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2
Тема
«Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники».
Продолжительность работ
2011 - 2013, 31 мес.
Бюджетные средства
240 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка конкурентоспособных технологий и создание опытно-промышленного производства подложек лейкосапфира, карбида кремния и нитрида галлия для широкого класса приборов оптоэлектроники и электроники.
Продолжительность работ
2007 - 2009, 26 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
2
Тема
Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Проведение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
753
Тема
Разработка технологии получения комплекса монокристаллов широкозонных полупроводников для элементной базы оптоэлектроники, дозиметрии, медицинской аппаратуры, приборов досмотровой техники.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
3