"Полупроводниковые лазеры-инжекционные (диодные) и с катодно-лучевой накачкой".

В области мощных диодных лазеров - разработан и осуществлен монтаж измерительных и технологических стендов, исследованы процессы отвода тепла от мощных полупроводниковых лазерных кристаллов, разработаны методы сборки, разработана методика измерений излучательных характеристик мощных лазерных диодов, разработаны критерии прогнозирования срока службы мощных лазерных диодов и методы ресурсных испытаний.
В области лазеров с катодно-лучевой накачкой - исследованы структурные совершенства и излучательные свойства низкоразмерных структур ZnSe/ZnMgSSe и ZnSSe/ZnMgSSe, выращенных на подложках GaAs, в зависимости от ростовых условий. Проведен эпитаксиальный рост низкоразмерных структур ZnCdSe/ZnSSe на подложках ZnSSe для лазера, излучающего в синей области спектра. На основе низкоразмерных структур ZnSSe/ZnMgSSe, ZnCdSe/ZnSSe изготовлены резонаторы и получена генерация в синей области спектра. Исследованы характеристики этих лазеров в импульсном режиме возбуждения.
Полученные результаты позволяют разработать научно-технологические основы для производства надёжных и ресурсных отечественных мощных одиночных лазерных диодов, конкурентоспособных по выходным параметрам и стоимости с лучшими зарубежными образцами.
Основные результаты по технологии сборки и монтажу мощных лазерных диодов будут переданы Российскому Федеральному Ядерному Центру (РФЯЦ) – Всесоюзному Научно - Исследовательскому Институту Технической Физики (ВНИИТФ) Росатом РФ (г. Снежинск) и ФГУП “Инжект” (г. Саратов) для промышленного выпуска таких приборов.
Дальнейшее развитие работ в области диодных (инжекционных) лазеров предполагает освоение производства монолитных линеек лазерных диодов высокой мощности для широкого использования в изделиях лазерной техники.
Результаты работы в области лазеров с катодно-лучевой накачкой передаются фирме «Лайтворк» (США) согласно договору о совместной работе между ФИАН и этой фирмой.
В области лазеров с катодно-лучевой накачкой предполагается улучшить характеристики лазерных источников света в синем диапазоне, расширить спектральный диапазон (реализовать генерацию на любой длине волны в диапазоне от 450 до 470 нм) при достижении уровня средней выходной мощности от 1 Вт до 10 Вт.