Регистрация / Вход
Прислать материал

"Полупроводниковые лазеры-инжекционные (диодные) и с катодно-лучевой накачкой".

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.445.11.7245
Организация
ФИАН

«Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации»

Этапы проекта

1
05.09.2005 - 04.11.2005
В области мощных диодных лазеров - разработан и осуществлен монтаж измерительных и технологических стендов, исследованы процессы отвода тепла от мощных полупроводниковых лазерных кристаллов, разработаны методы сборки, разработана методика измерений излучательных характеристик мощных лазерных диодов, разработаны критерии прогнозирования срока службы мощных лазерных диодов и методы ресурсных испытаний.
В области лазеров с катодно-лучевой накачкой - исследованы структурные совершенства и излучательные свойства низкоразмерных структур ZnSe/ZnMgSSe и ZnSSe/ZnMgSSe, выращенных на подложках GaAs, в зависимости от ростовых условий. Проведен эпитаксиальный рост низкоразмерных структур ZnCdSe/ZnSSe на подложках ZnSSe для лазера, излучающего в синей области спектра. На основе низкоразмерных структур ZnSSe/ZnMgSSe, ZnCdSe/ZnSSe изготовлены резонаторы и получена генерация в синей области спектра. Исследованы характеристики этих лазеров в импульсном режиме возбуждения.
Полученные результаты позволяют разработать научно-технологические основы для производства надёжных и ресурсных отечественных мощных одиночных лазерных диодов, конкурентоспособных по выходным параметрам и стоимости с лучшими зарубежными образцами.
Основные результаты по технологии сборки и монтажу мощных лазерных диодов будут переданы Российскому Федеральному Ядерному Центру (РФЯЦ) – Всесоюзному Научно - Исследовательскому Институту Технической Физики (ВНИИТФ) Росатом РФ (г. Снежинск) и ФГУП “Инжект” (г. Саратов) для промышленного выпуска таких приборов.
Дальнейшее развитие работ в области диодных (инжекционных) лазеров предполагает освоение производства монолитных линеек лазерных диодов высокой мощности для широкого использования в изделиях лазерной техники.
Результаты работы в области лазеров с катодно-лучевой накачкой передаются фирме «Лайтворк» (США) согласно договору о совместной работе между ФИАН и этой фирмой.
В области лазеров с катодно-лучевой накачкой предполагается улучшить характеристики лазерных источников света в синем диапазоне, расширить спектральный диапазон (реализовать генерацию на любой длине волны в диапазоне от 450 до 470 нм) при достижении уровня средней выходной мощности от 1 Вт до 10 Вт.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.12 Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Организация
ФИАН
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1,28 млн
Организация
ИЯФ СО РАН
профинансировано
Тема
Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Проведение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
753
Тема
Разработка метода формирования ионно-легированных диодных структур на основе широкозонных полупроводников.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
2
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы и поисковых исследований фундаментального характера молодыми учеными и преподавателями, проходящими стажировку в крупном российском научном (научно-образовательном) центре.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
25 млн
Количество заявок
27
Тема
Научно-организационное, методическое и техническое обеспечение создания международного научно-образовательного центра в области проектирования микро- и наносистем.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
22 млн
Количество заявок
2