"Базовые элементы и технология квантово-классических интегральных схем на основе резонансно-туннельных диодов".

Разработана общая методика проведения исследований и отработаны базовые элементы технологического маршрута изготовления интегральных схем на основе резонансно-туннельных гетероструктур.
Проведено схемотехническое моделирование и разработаны конструкции элементов интегральных схем, реализующих планарную интеграцию резонансно-туннельных диодов (РТД) и полевых гетеропереходных транзисторов.
Cпроектированы и изготовлены оптимизированные гетероструктуры с резонансно-туннельным диодом и полевым транзистором на основе полупроводниковых соединений GaAs/AlxGa1-xAs и GaAs/AlAs.
Разработаны методы измерения электронных процессов переключения и высокочастотных испытаний функционально-интегрированных элементов на основе резонансно-туннельных и транзисторных гетероструктур, проведена диагностика структурных параметров и электрофизических характеристик изготовленных транзисторных и диодных структур.
Выполнены измерения электрофизических и сверхвысокочастотных свойств резонансно-туннельных диодных гетероструктур, изучены резонансно-туннельные характеристики, особенности поперечного транспорта и высокочастотные характеристики резонансно-туннельных диодных структур, используемых в квантовом функционально-интегрированном элементе. Измерены вольт-амперные характеристики, показана их воспроизводимость при больших временных промежутках между процедурами роста структур.
В системах с микрополосковым резонатором получена и исследована микроволновая генерация (диапазон 0.1-10 Ггц). Исследованы одноямные и двухямные резонансно-туннельные структуры. Зарегистрирован одномодовый режим генерации в трехбарьерных структурах.
В рамках проекта проведено исследование и разработка функционально-интегрированных устройств на основе связанных резонансно-тунельных диодов и гетеропереходных транзисторов с высокой подвижностью электронов. Разработана технологии эпитаксии гетероструктур для функционально-интегрированных элементов.