Регистрация / Вход
Прислать материал

"Базовые элементы и технология квантово-классических интегральных схем на основе резонансно-туннельных диодов".

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.445.11.7246
Организация
ФИАН

«Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации»

Соисполнители

Организация
МИЭТ

Этапы проекта

1
05.09.2005 - 04.11.2005
Разработана общая методика проведения исследований и отработаны базовые элементы технологического маршрута изготовления интегральных схем на основе резонансно-туннельных гетероструктур.
Проведено схемотехническое моделирование и разработаны конструкции элементов интегральных схем, реализующих планарную интеграцию резонансно-туннельных диодов (РТД) и полевых гетеропереходных транзисторов.
Cпроектированы и изготовлены оптимизированные гетероструктуры с резонансно-туннельным диодом и полевым транзистором на основе полупроводниковых соединений GaAs/AlxGa1-xAs и GaAs/AlAs.
Разработаны методы измерения электронных процессов переключения и высокочастотных испытаний функционально-интегрированных элементов на основе резонансно-туннельных и транзисторных гетероструктур, проведена диагностика структурных параметров и электрофизических характеристик изготовленных транзисторных и диодных структур.
Выполнены измерения электрофизических и сверхвысокочастотных свойств резонансно-туннельных диодных гетероструктур, изучены резонансно-туннельные характеристики, особенности поперечного транспорта и высокочастотные характеристики резонансно-туннельных диодных структур, используемых в квантовом функционально-интегрированном элементе. Измерены вольт-амперные характеристики, показана их воспроизводимость при больших временных промежутках между процедурами роста структур.
В системах с микрополосковым резонатором получена и исследована микроволновая генерация (диапазон 0.1-10 Ггц). Исследованы одноямные и двухямные резонансно-туннельные структуры. Зарегистрирован одномодовый режим генерации в трехбарьерных структурах.
В рамках проекта проведено исследование и разработка функционально-интегрированных устройств на основе связанных резонансно-тунельных диодов и гетеропереходных транзисторов с высокой подвижностью электронов. Разработана технологии эпитаксии гетероструктур для функционально-интегрированных элементов.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.12 Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ФИАН
профинансировано
Тема
Резонансно-туннельные наногетероструктуры для квантово-классических интегральных схем.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Проведение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
753
Тема
Разработка и создание сверхбыстродействующих устройств наноэлектроники на основе туннельно – резонансных гетероструктур
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
2
Тема
Интегральный квантовый приемник субмм волн на основе сверхпроводниковых наногетероструктур.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 10-12 ГГц (планарные приемные антенные решетки).
Продолжительность работ
2011 - 2012, 17 мес.
Бюджетные средства
0 млн
Количество заявок
1