Регистрация / Вход
Прислать материал

Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы. "Создание, диагностика и исследование низкоразмерных полупроводниковых систем".

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.445.11.7341
Организация
ИФП СО РАН

Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям программы: «Информационно-телекоммуникационные системы», «Индустрия наносистем и материалы», «Живые системы», «Рациональное природопользование», «Энергетика и энергосбережение», «Безопасность и противодействие терроризму» и развитие на этой основе ведущих научных школ (в том числе улучшение их квалификационной и возрастной структуры).

Этапы проекта

1
09.06.2006 - 02.10.2006
В рамках проекта произведен анализ влияния геометрии поверхности, задаваемой нанолитографией с разрешением менее 50 нм, травлением и локальным анодным окислением, на квантовые свойства наноструктур, создаваемых на основе двумерного электронного газа, и выяснение пределов уменьшения размеров таких затворно управляемых наноструктур. Описаны основные структуры, полученные методом локального анодного-оксиления, учтены и обоснованы параметры, влияющие на качество получаемых наноструктур: шероховатость, аспектное отношение нанооксидирования поверхности.
Представлена работа и результаты по развитию новых диагностических методов структурного анализа систем пониженной размерности электронно-микроскопическими и зондовыми методами, включая in situ эксперименты, компьютерную обработку, и моделирование изображений высокого разрешения. Описана главная концепция новой процедуры для визуализации и измерения деформационных полей на ВРЭМ изображениях, основанная на МГФ, которая была развита в течение одного года. Проведен сравнительный анализ двух разработанных методов измерения локальных искажений решетки по ВРЭМ изображениям. Разработаны модели для определения точности метода геометрической фазы для визуализации деформационных полей и для измерения дисторсий кристаллической решетки в напряженных сверхрешетках GeSi-Si. Проанализировано влияние поверхностной релаксации в тонкой фольге и артефактов в виде аморфизованных поверхностных слоев на характер распределения деформаций, определяемых с помощью метода геометрической фазы.
Получены и представлены результаты по практической разработке макетов нанотранзисторов на основе КНИ-структур, получаемых методом Dele-Cut, разработанным в ИФП СО РАН, с применением high-k диэлектриков в качестве подзатворного диэлектрика для создания радиационно-стойких и высокочастотных электронных элементов для навигационных и телекоммуникационных систем.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.12 Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации
Тема
Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
320 млн
Количество заявок
600
Тема
Исследование условий формирования и свойств низкоразмерных наноструктур на поверхности полупроводников.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
3
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Развитие сети отраслевых центров прогнозирования научно-технологического развития по приоритетным направлениям развития науки и технологий.
Продолжительность работ
2014, 5 мес.
Бюджетные средства
45 млн
Количество заявок
3
Тема
Изучение низкоразмерных сильно-коррелированных электронных систем в полупроводниках и сверхпроводниках с применением сильных магнитных полей, низких температур и высоких давлений.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
2