Проведение фундаментальных физических исследований экстремальных состояний, возникающих при взаимодействии мощного фемтосекундного лазерного излучения с веществом, и разработка новейших фемтосекундных технологий на установке: "Лазерный тераваттный фемтосекундный комплекс (ЛТФК) (рег. № 01-88)".

Проведены экспериментальные исследования динамики сверхбыстрого плавления и абляции поверхностного слоя широкозонных полупроводников Si и GaAs, происходящих при воздействии мощных фемтосекундных лазерных импульсов инфракрасного диапазона спектра излучения, для которых данные полупроводники являются прозрачными. Такие эксперименты проводятся впервые и являются необходимыми для разработки лазерных фемтосекундных нанотехнологий обработки различных материалов с нанометрической точностью. Было проведено обобщение результатов предыдущих этапов работ, проведена оценка полноты решения задач и эффективности полученных результатов в сравнении с современным научно-техническим уровнем.