Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка оборудования и технологических процессов для создания активных элементов наноэлектроники на основе групповых и зондовых методов нанотехнологии.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.467.11.2002
Организация
МИЭТ

Создание пилотного нанотехнологического комплекса (НТК) кластерного типа для разработки активных элементов и специализированных интегральных схем наноэлектроники с конструктивно-технологическими ограничениями до 10 нм и разработка технологических процессов для их мелкосерийного производства.

Соисполнители

Организация
АО "ЗИТЦ"
Организация
ЗАО "НТ-МДТ"

Этапы проекта

1
03.10.2005 - 08.12.2005
Выполнены эскизные проекты: - нанотехнологического комплекса (НТК) (часть 4); - сверхпроводниковой интегральной схемы на базе эффекта Джозефсона (СПИС) (часть 5); - сверхскоростной интегральной схемы базового матричного кристалла устройства выборки и хранения (БМК УВХ) (часть 6). Разработаны технологии: - технология очистки поверхности пластин и зондов в модуле подготовке НТК (часть 4); - технология изготовления СПИС с джозефсоновскими переходами туннельного типа (SIS) (часть 5); - технология изготовления высокочастотных диодов Шоттки на основе гетероструктур арсенида галлия (часть 6). Изготовлен макетный образец НТК и выполнены его испытания. Разработана программа, методика испытаний и структура программного обеспечения НТК (часть 4). Изготовлен комплект фотошаблонов.
Проведена научно-исследовательская и учебно-исследовательская работа молодых ученых, аспирантов и студентов старших курсов в области нанотехнологий (части 2,3). Проведен конкурс научно-исследовательских и учебно-исследовательских работ аспирантов и студентов в области нанотехнологии (часть 3). Уточнена номенклатура и разработаны технические характеристики модулей №№ 1,2 НТК, вакуумной системы установки нанесения сверхтонких покрытий (УНСП), атомно-силового литографа, работающего на воздухе (АСЛВ). Проведена закупка и укомплектование модулей №№ 1,2, вакуумной системы УНСП, атомно-силового литографа АСЛВ (часть 7). Проведена оценка технического уровня объектов интеллектуальной собственности в объеме модулей (блоков) и технологий разрабатываемого НТК. Проведены патентные исследования (часть 8). Проведен анализ существующего рынка разрабатываемой продукции, и прогноз мирового рынка нанотехнологий по данным различных источников (часть 9).
Развернуть
2
01.01.2006 - 30.06.2006
: Разработана конструкторская документация нанотехнологического комплекса (НТК) (ч.4), сверхпроводниковой интегральной схемы на базе эффекта Джозефсона (СПИС) (ч.5) и сверхскоростной интегральной схемы базового матричного кристалла устройства выборки и хранения (БМК УВХ) (ч.6); разработана технологическая документация СПИС (ч.5), БМК УВХ (ч.6). Изготовлены опытные образцы НТК (ч.4), СПИС (ч.5), БМК УВХ (ч.6). Разработаны программы и методики проведения предварительных испытаний НТК (ч.4), СПИС (ч.5), БМК УВХ (ч.6). Проведены предварительные испытания НТК (ч.4), СПИС (ч.5). Разработаны технологии: - технология изготовления СПИС с джозефсоновскими переходами с непосредственной проводимостью (SNS-типа) (ч.5); - технология изготовления ИС УВХ на БМК на основе полупроводниковых гетероструктур (ч.6). Проведены предварительные испытания НТК (ч.4) и СПИС (ч.5). Проведена научно-исследовательская и учебно-исследовательская работа молодых ученых, аспирантов и студентов старших курсов в области нанотехнологий (ч.2,3). Проведены закупка и укомплектование модулей №№ 3, 4, 5,6, 7 НТК; макета установки нанесения сверхтонких покрытий (УНСП); атомно-силового литографа, работающего на воздухе (АСЛВ); рабочей станции для АСЛВ с программным обеспечением (ч.7). Проведена оценка патентоспособности объектов (ч.8). Выполнен проект производственного плана для запуска в производство разрабатываемого в проекте НТК. Сформирован проект бизнес-плана. Разработана бизнес-стратегия развития производства НТК (ч.9).
Развернуть
3
01.07.2006 - 31.10.2006
Разработан, изготовлен и испытан нанотехнологический комплекс ПНТККТ-0,1, представляющий собой единую модульную вакуумно-сопряженную систему. Проведена регулировка и отладка (электроники и программ) опытного образца ПНТККТ-01 для приемочных испытаний. Проведены государственные приемочные испытания опытного образца ПНТККТ-01, рабочей конструкторской документации присвоена литера "Oi". Разработана: "Технология модификации поверхности пластин с применением фокусированных ионных пучков модуля FIB НТК".
Получены опытные образцы специализированной сверхпроводниковой интегральной схемы (СПИС) на базе эффекта Джозефсона с конструктивно-технологическими размерами до 10 нм. Проведены приемочные испытания опытного образца СПИС по программе и методикам и присвоена литера "Oi" рабочей технологической и конструкторской документациям. Разработанная конструкция опытных образцов является базовой и предназначена для постановки мелкосерийного производства и последующего использования в эталонных средствах измерений с воспроизводимым напряжением 1,0 В.
Проведены предварительные испытания опытных образцов сверхскоростной интегральной схемы матричного кристалла многофункционального устройства выборки и хранения (ИС УВХ БМК) на основе полупроводниковых гетероструктур. Рабочей конструкторской документации и рабочей технологической документации присвоена литера "О". Проведены государственные приемочные испытания. Рабочей конструкторской и технологической документации на ИС УВХ БМК присвоена литера "Oi".
В рамках научных исследований, выполненных докторами и кандидатами наук, разработан нелитографический метод формирования поверхностных наноструктур, предназначенных для создания наносенсоров, основанный на применении самоорганизующихся пористых матриц. Исследованы методы локального заполнения наноструктурированных поверхностей материалами, чувствительными к различных физическим и химическим параметрам. Созданы экспериментальные образцы сенсоров паров спиртов на основе пленок однослойных и многослойных углеродных нанотрубок, а также транзистора на основе однослойной нанотрубки.
По результатам научных исследований, выполненных на конкурсной основе студентами и аспирантами, разработаны лабораторные методы создания макетов нановаристоров и нанотранзисторов на основе металлических пленок наноразмерных толщин. Разработаны и созданы макеты элементов наноэлектроники на основе углеродных нанотрубок, в том числе макеты нанодиодов, нанотранзисторов и ИС логических ключей. Разработаны и созданы макеты элементов наноэлектроники на основе наноразмерных углеродных пленок, в том числе макеты нановаристоров и нанотранзисторов с управлением из-под слоя окисла и с боковым управлением.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.7 Развитие приборной базы научных организаций и вузов в целях опережающего развития материальной базы научных исследований
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ФИАН
профинансировано
Изучение технологий формирования и методик исследования наноструктур и наноматериалов с использованием нанотехнологического оборудования Научно-образовательного центра «Нанотехнологии» Южного федерального университета: 1. Изучение методик исследования микро- и наноструктур методами сканирующей зондовой микроскопии в условиях сверхвысокого вакуума на нанотехнологическом комплексе НАНОФАБ НТК-9 2. Изучение методик исследования микроструктур чувствительных элементов систем технического зрения методами сканирующей зондовой микроскопии 3. Изучение технологии формирования структур оптоэлектроники методами фокусированных ионных пучков на РЭМ Nova Nanolab 600 4. Изучение технологии получения наноструктурированных пленок VOx для чувствительных элементов сенсоров ИК-диапазона на нанотехнологическом комплексе НАНОФАБ НТК-9 5. Изучение технологии получения оксидных пленок методом импульсного лазерного осаждения на нанотехнологическом комплексе НАНОФАБ НТК-9 6. Разработка и использование лазерных технологий в производстве энергосберегающих стекол 7. Лазерные технологии в производстве изделий микро- и наноэлектроники 8. Разработка и исследование солнечных элементов на основе лазерных технологий 9. Разработка и исследование интегральных элементов на основе туннельно-связанных наногетероструктур 10. Разработка и исследование элементов микро- и наносистем регистрации параметров движения объектов
Продолжительность работ
2010, 2 мес.
Бюджетные средства
1,85 млн
профинансировано
Продолжительность работ
2010 - 2012, 26 мес.
Бюджетные средства
7 млн
Организация
МИЭТ
профинансировано
Тема
Разработка оборудования и технологических процессов для создания активных элементов наноэлектроники на основе групповых и зондовых методов нанотехнологии
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
96 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка базовых технологических процессов и оборудования для исследований и опытного производства приборов наноэлектроники, оптоэлектроники и микросистемной техники.
Продолжительность работ
2007 - 2009, 25 мес.
Бюджетные средства
230 млн
Количество заявок
1
Тема
Создание баз данных в области наноэлектроники как элементов информационной составляющей инфраструктуры наноиндустрии.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 12 мес.
Бюджетные средства
6,79 млн
Количество заявок
3
Тема
Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по тематическому направлению деятельности национальной нанотехнологической сети «Наноэлектроника».
Продолжительность работ
2010 - 2011, 12 мес.
Бюджетные средства
4 млн
Количество заявок
1
Тема
Создание элемента инфраструктуры Центра метрологического обеспечения и оценки соответствия нанотехнологий и продукции наноиндустрии по направлению наноэлектроника.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1