Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка технологий ядерного легирования монокристаллов полупроводниковых соединений A3B5 .

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.467.11.2014
Продолжительность работ
2005 - 2006, 11 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Внебюджетные средства
7,2 млн

организация опытно-промышленного производства новых марок высококачественных легированных и полуизолирующих полупроводниковых материалов.

Этапы проекта

1
10.11.2005 - 08.12.2005
Создан перечень основных технологических этапов для разработки технологий ядерного легирования монокристаллов полупроводниковых соединений III-V. Разработаны методы облучения образцов арсенида галлия и In-содержащих полупроводниковых соединений III-V в исследовательском ядерном реакторе ВВР-ц. Разработаны методы термообработки облученных образцов. Проведен выбор средств и методов измерений свойств образцов полупроводниковых соединений III-V до и после облучения, а также в процессе термообработки. Разработаны модели изменения структурных параметров полупроводниковых соединений III-V под воздействием нейтронного облучения (1.3).
Проведен комплекс мероприятий по приборному оснащению. Закуплено оборудование для дозиметрического участка разрабатываемой технологической линии ядерного легирования полупроводниковых соединений III-V (1.7).
Разработана принципиальная схема технологической линии. Оснащен участок дозиметрического контроля. В части модернизации облучательского оборудования разработано устройство для облучения пластин арсенида галлия в исследовательском ядерном реакторе ВВР-ц (2.2).
Разработана структура бизнес-плана по созданию опытно-промышленного производства пластин ядерно-легированных полупроводниковых соединений III-V на базе исследовательского ядерного реактора ВВР-ц. Проведены маркетинговые исследования (2.3).
Определены задачи и проведены патентные исследования по ГОСТ Р15.011-96 (2.10).
Развернуть
2
01.01.2006 - 30.06.2006
Разработана рабочая технологическая документация на технологию получения опытной партии ядерно-легированных пластин полупроводниковых материалов (ЯЛППМ). Отработаны параметры технологических процессов. Изготовлена опытная партия ЯЛППМ Исследованы электрофизические, оптические и структурные характеристики (1.3).
Проведены комплексные мероприятия по приборному оснащению. Закуплено оборудование для технологического участка (1.7).
Разработана рабочая конструкторская (РКД) и технологическая документация (РТД) на изготовление технологической линии. Приобретены необходимые материалы для оснащения технологической линии. Отработаны технологические режимы (2.2).
Разработан бизнес-план (2.3).
Выбраны научно-организационные и правовые методы защиты результатов интеллектуальной деятельности. Проведены патентные исследования по ГОСТ Р15.011-96 (2.10).
Развернуть
3
01.07.2006 - 31.10.2006
(см. файл)
При выполнении работ по этапу №3 получены следующие основные результаты:
1. Мероприятие 1.3:
Изготовлены опытные образцы ЯЛППМ. Разработаны программа и методики предварительных испытаний. Проведены предварительные испытания опытных образцов ЯЛППМ. Скорректирована ТД по результатам испытаний. Разработаны программа и методики приёмочных испытаний ЯЛППМ. Проведены приёмочные испытания опытных образцов ЯЛППМ. Выданы рекомендации для тиражирования радиационных технологий на действующих промышленных ядерных реакторах.
2. Мероприятие 1.7:
Проведены комплексные мероприятия по приборному оснащению испытательных стендов и установок для производства пластин. Закуплено оборудование для измерительного участка – измерительный комплекс однородности свойств пластин полупроводниковых соединений III-V стоимостью 1500 тыс. рублей, в том числе: СВЧ установка для измерения удельного электросопротивления в диапазоне от 310-2 до 105 Омсм, ВЧ установка для измерения удельного электросопротивления в диапазоне от 106 до 109 Омсм.
3. Мероприятие 2.2:
Разработаны ПМ предварительных и приемочных испытаний технологической линии для получения опытной партии ядерно-легированных пластин полупроводниковых материалов АIIIВV. Проведены предварительные и приемочные испытания линии. Обобщены результаты работ, скорректированы режимы технологических процессов, разработана эксплуатационная и скорректирована технологическая документации. Проведены мероприятия по организации опытно-промышленного производства ЯЛППМ, в том числе выполнена технологическая подготовка опытно-промышленного производства. Проведено испытание полупроводников в производстве приборов, в т.ч. изготовлены приборы на основе пластин ядерно-легированных и радиационно-модифицированных полупроводниковых соединений III-V (диоды Ганна).
4. Мероприятие 2.3:
Актуализирован бизнес-план организации опытно-промышленного производства пластин ядерно-легированных полупроводниковых соединений III-V на базе исследовательского ядерного реактора ВВР-ц. Бизнес-план может служить основой для коммерциализации созданной технологии и продвижения разработанной продукции на зарубежный и Российские рынки.
5. Мероприятие 2.10:
Выработаны рекомендации по защите прав интеллектуальной собственности. Подготовлены три заявки на патентование результатов интеллектуальной деятельности в Роспатент. Научно-технический Совет Филиала ФГУП «НИФХИ им. Л.Я. Карпова» постановил признать работу ИН-00.3/004/005 по этапу №3 выполненной в установленный срок и принятой.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.3 Прикладные разработки в рамках системы приоритетных направлений
Развитие нанотехнологий и разработка современных методик комплексной диагностики нанокомпозитов и наноструктур: 1. Анализ дельта-легированных слоев методами спектроскопии адмиттанса. 2. Исследования эффектов неоднородного уширения энергетических спектров квантоворазмерных наноструктур. 3. Диагностика полупроводниковых гетероструктур с одиночными квантовыми ямами InGaAs/GaAs, выращенных методами газо-фазной эпитаксии из металлорганических соединений. 4. Исследование энергетических характеристик гетерополитипных переходов в карбиде кремния 5. Получение и свойства полуизолирующего карбида кремния легированного ванадием 6. Создание и исследование электрически управляемых конденсаторов на основе наноструктурированной плёнки титаната бария-стронция для СВЧ применений 7. Исследование явлений медленной релаксации ёмкости конденсаторов на основе плёнки титаната бария-стронция при воздействии управляющих импульсов напряжения с целью увеличения быстродействия их перестройки 8. Исследование удельной поверхности и характеристик пористости нанокомпозитных керамических материалов и пористых слоев на основе оксидов олова и кремния, полученных методом золь-гель технологии 9. Разработка и оптимизация методов формирования каталитических слоев водород-воздушных топливных элементов 10. Разработка методик и анализ структур с иерархией пор методами атомно-силовой микроскопии 11. Золь-гель технология металлооксидных нанокомпозитов
Продолжительность работ
2010, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Организация
CПбГЭТУ "ЛЭТИ"
профинансировано
Тема
Разработка технологий ядерного легирования монокристаллов полупроводниковых соединений A3B5 .
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
3
Тема
Разработка комплекса методов выращивания высокосовершенных монокристаллов полупроводниковых соединений АIIIВV для применения в микро- и оптоэлектронике.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка метода формирования ионно-легированных диодных структур на основе широкозонных полупроводников.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка технологии получения легированных структурно совершенных монокристаллов и пластин германия для электроники и солнечной энергетики.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 17 мес.
Бюджетные средства
75 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии и создание промышленного модуля для повышения эксплуатационных характеристик серийных триботехнических изделий и металлорежущего инструмента за счет функциональных покрытий, полученных ионным осаждением из предварительно синтезированных легированных карбидных соединений.
Продолжительность работ
2012 - 2013, 18 мес.
Бюджетные средства
98 млн
Количество заявок
2