Прислать материал
Наносистемы на основе диэлектрических материалов
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.11.0003
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
Руководитель работ
Каплянский Александр Александрович
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Внебюджетные средства
0 млн
Получение новых научных результатов, актуальных для инновационного развития российских технологий по приоритетному направлению науки и техники «Индустрия наносистем и материалы».
Развитие ведущей научной школы Российской Федерации.
Этапы проекта
1
15.08.2008 - 20.11.2008
Разработана технология получения трехкомпонентных опалоподобных фотонных кристаллов на основе композита опал-GaN-ZnS.
Разработана технология выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур CaF2/Si(111
Созданы методом золь-гель технологии образцы новых неорганических нанокристаллических оксидов (BaTiO3) с примесью ионов редкоземельных и переходных металлов (Eu3+), размеры нанокристаллов - 23-37 нм.
Выращены образцы наноразмерных гетероструктур CaF2:Sm/Si и SrF2:Sm/Si.
Разработана технология выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур CaF2/Si(111
Созданы методом золь-гель технологии образцы новых неорганических нанокристаллических оксидов (BaTiO3) с примесью ионов редкоземельных и переходных металлов (Eu3+), размеры нанокристаллов - 23-37 нм.
Выращены образцы наноразмерных гетероструктур CaF2:Sm/Si и SrF2:Sm/Si.
Программа
Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"
Программное мероприятие
1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
профинансировано
профинансировано
профинансировано
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
Физический факультет МГУ
профинансировано
профинансировано