Прислать материал
Синтез тонких пленок широкозонных полупроводников (соединения AIIBVI, карбид кремния) методом вакуумной лазерной абляции и исследование их физических свойств
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.11.3122
Руководитель работ
Каргин Николай Иванович
Продолжительность работ
2007, 7 мес.
Бюджетные средства
2 млн
Внебюджетные средства
0 млн
Работы должны проводиться в рамках критической технологии «Технологии создания и обработки кристаллических материалов». Работы должны соответствовать по предполагаемому исполнению лучшим мировым стандартам. Создаваемый научно-технический задел должен обеспечивать в будущем проведение опытно-конструкторских и технологических работ на конкурентном уровне. Результаты работ должны способствовать дальнейшему инновационному развитию российских технологий в данном приоритетном направлении Программы.
Этапы проекта
1
21.03.2007 - 30.06.2007
Проведён анализ научно-технической литературы, нормативно-технической документации и других материалов, относящихся к теме.
Проведены патентные исследования по ГОСТ 15.011-96.
Разработана методика исследований, получены экспериментальные образцы. Изучено влияние технологических параметров лазерного испарения (энергии и длительности импульсов, частоты следования импульсов, температуры подложки) на структуру и физические свойства растущего слоя.
Проведено комплексное исследование оптических, фотоэлектрических и люминесцентных свойств синтезированных слоев.
Составлен промежуточный отчёт.
Проведены патентные исследования по ГОСТ 15.011-96.
Разработана методика исследований, получены экспериментальные образцы. Изучено влияние технологических параметров лазерного испарения (энергии и длительности импульсов, частоты следования импульсов, температуры подложки) на структуру и физические свойства растущего слоя.
Проведено комплексное исследование оптических, фотоэлектрических и люминесцентных свойств синтезированных слоев.
Составлен промежуточный отчёт.
2
01.07.2007 - 31.10.2007
Обобщены результаты первого этапа работ. Проведена оценка полноты решения задач и эффективности полученных результатов в сравнении с современным научно-техническим уровнем.
Разработаны предложения по созданию новых оптоэлектронных приборов, эффективно работающих в видимой и ультрафиолетовой области спектра электромагнитного излучения.
Составлен и оформлен отчет.
Разработаны предложения по созданию новых оптоэлектронных приборов, эффективно работающих в видимой и ультрафиолетовой области спектра электромагнитного излучения.
Составлен и оформлен отчет.
Программа
Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"
Программное мероприятие
1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
профинансировано
профинансировано
профинансировано
профинансировано
Продолжительность работ
2007, 7 мес.
Бюджетные средства
2 млн
Организация
Томский государственный университет, НИ ТГУ, ТГУ
профинансировано