Прислать материал
Разработка принципов МЛЭ PbShTe:ln yf Si/CaF2/BaF2 для интегральных ФПУ ИК - и субмиллиметрового диапазона
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.11.3126
Организация
ИФП СО РАН
Руководитель работ
Климов Александр Эдуардович
Продолжительность работ
2007, 7 мес.
Бюджетные средства
2 млн
Внебюджетные средства
1 млн
Работы должны проводиться в рамках критической технологии «Технологии создания и обработки кристаллических материалов». Работы должны соответствовать по предполагаемому исполнению лучшим мировым стандартам. Создаваемый научно-технический задел должен обеспечивать в будущем проведение опытно-конструкторских и технологических работ на конкурентном уровне. Результаты работ должны способствовать дальнейшему инновационному развитию российских технологий в данном приоритетном направлении Программы.
Соисполнители
Организация
НГТУ
Этапы проекта
1
21.03.2007 - 30.06.2007
1. Проведен анализ научно-технической литературы, нормативно-технической документации и других материалов, относящихся к разрабатываемой теме.
2. Разработаны методы получения буферных слоёв CaF2 и BaF2 на кремнии.
3. Проведен расчет напряжений, возникающих в структуре Si/CaF2/BaF2/PbSnTe.
4. Изготовлены экспериментальные образцы структур Si/ CaF2/BaF2.
5. Исследована кристаллическая и элементная структура буферных слоёв CaF2 и BaF2 на кремнии.
6. Разработаны методы получения нелегированных и легированных плёнок PbSnTe:In.
7. Изготовлены экспериментальные образцы плёнок PbSnTe:In на буферных слоях CaF2 и BaF2 и исследованы их структурные и электрофизические свойства.
8. Проведены патентные исследования по ГОСТ 15.011-96.
9. Составлен промежуточный отчет по 1-му этапу.
2. Разработаны методы получения буферных слоёв CaF2 и BaF2 на кремнии.
3. Проведен расчет напряжений, возникающих в структуре Si/CaF2/BaF2/PbSnTe.
4. Изготовлены экспериментальные образцы структур Si/ CaF2/BaF2.
5. Исследована кристаллическая и элементная структура буферных слоёв CaF2 и BaF2 на кремнии.
6. Разработаны методы получения нелегированных и легированных плёнок PbSnTe:In.
7. Изготовлены экспериментальные образцы плёнок PbSnTe:In на буферных слоях CaF2 и BaF2 и исследованы их структурные и электрофизические свойства.
8. Проведены патентные исследования по ГОСТ 15.011-96.
9. Составлен промежуточный отчет по 1-му этапу.
2
01.07.2007 - 31.10.2007
1. Разработана адекватная модель электрофизических явлений в плёнках PbSnTe:In, учитывающей особенности электронного спектра примеси и влияния сегнетоэлектрического фазового перехода.
2. Проведено термоциклирование структур Si/ CaF2/BaF2/ и Si/ CaF2/BaF2/ PbSnTe:In и определены максимально допустимые режимы, не приводящие к деградации пленок PbSnTe:In.
3. Разработана техническая документация.
4. Составлен итоговый отчет по НИР.
2. Проведено термоциклирование структур Si/ CaF2/BaF2/ и Si/ CaF2/BaF2/ PbSnTe:In и определены максимально допустимые режимы, не приводящие к деградации пленок PbSnTe:In.
3. Разработана техническая документация.
4. Составлен итоговый отчет по НИР.
Программа
Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"
Программное мероприятие
1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
профинансировано
профинансировано
профинансировано
профинансировано
Создание мембран и каталитических систем на основе нанотехнологий, наносистем и принципов самосборки
Продолжительность работ
2007, 7 мес.
Бюджетные средства
1,8 млн
профинансировано