Полупроводниковые наноструктурированные матариалы на основе кремния для оптоэлектроники

Разработана методика формирования плотного массива Ge нанокластеров в кремнии с плотностью (3-10) 10 11 см-2 и средним размером 12 нм на подложках кремний на изоляторе.
Разработаны способы повышения однородности Ge нанокластеров по размеру.
Построена физическая модель процессов в фоточувствительном слое.
Выбраны средства и методы контроля создаваемых материалов.
Проведены патентные исследования по ГОСТ Р 15.011-96.
Составлен и оформлен отчет.

Разработана методика формирования многослойных гетероструктур Ge/Si c Ge нанокластерами.
Изготовлены экспериментальные образцы наноструктурированных материалов.
Исследованы структурные и оптические характеристики наноструктурированных материалов.
Проведен выбор и разработана конструкция фоточувствительной ячейки на основе гетероструктур Gе/Si с квантовыми точками.
Построена математическая модель процессов в фоточувствительной ячейке.
Разработаны и обоснованы методы измерений параметров фотодетекторов.
Проведены патентные исследования по ГОСТ Р 15.011-96.
Составлен и оформлен отчет.

Оптимизация технологии формирования фоточувствительных слоев ИК фотодетекторов на основе многослойных гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge;
  Изготовление экспериментальных образцов ИК фотодетекторов различных типов.
  Исследование фотоэлектрических параметров изготовленных приборов;
  Создание экспериментальной установки для измерения времени нарастания и спада импульсов фотоотклика образцов фотоприемников и определения предельной частоты следования фотоимпульсов;
  Моделирование процессов в фоточувствительных элементах.

Разработана физико-математическая модель, описывающая распределения упругих деформаций кристалла Si
  Разработана технология изготовления фоточувствительных слоев на базе гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge.
  Исследованы частотные характеристики образцов ИК детекторов. Показано, что максимальной полосой пропускания (до 16ГГц на уровне -3 дБ) обладают фотодетекторы на основе Ge/Si наноструктур с 30-ю слоями квантовых точек Ge.