Формирование магнитных туннельных переходов на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл

- проанализирована научно-техническая литература, нормативно-техническая документация и другие материалы, относящиеся к разрабатываемой теме;
- проведены патентные исследования по ГОСТ Р 15.011-96;
- сформулированы возможные направления решений задач, поставленных в ТЗ НИР, и их сравнительная оценка;
- выбрано и обосновано принятое направление исследований и способов решения поставленных задач.
- разработана общая методика проведения исследований;
- разработаны методики роста бислойных структур ФМ-И с границей раздела высокого качества (ФМ=Fe3Si, Fe, Co, И=SiO2, MgO, Al2O3);
- разработана теоретическая модель, обосновывающая преимущества использования ферромагнитного силицида Fe3Si для магнитных туннельных переходов;
- выявлена необходимость проведения экспериментов для подтверждения отдельных положений теоретических исследований;
- составлен промежуточный отчет.

разработаны методики роста полностью эпитаксиальных структур MgO(001)/Fe(001), MgO(001)/Fe3Si(001) и MgO(001)/Fe(001)/MgO(001)/Fe3Si(001) c использованием метода ИЛО;
- составлен промежуточный отчет.

1. Проведены эксперименты по формированию структур ФМ-И-ФМ.
2. Разработана методика анализа сформированных структур ФМ-И-ФМ, в т.ч., границ раздела.
3. Проведено исследование структурных, электрофизических, термодинамических и магнитных свойств структур ФМ-И-ФМ (ФМ=Fe3Si, Fe, Co, И=SiO2, MgO, Al2O3).
4. Проведен анализ результатов эксперимента, сопоставление с результатами расчетов и математического моделирования; выбор наиболее перспективной из исследованных систем ФМ-И-ФМ для использования в качестве магнитного туннельного перехода.
5. Составлен промежуточный отчет.

Проведено математическое моделирование магнитоспоротивления в многослойных структурах ФМ-И-ФМ, и сопоставление экспериментальных результатов с расчётами.
  Разработаны методики исследования рельефа поверхности и магнитных свойств структур на основе ферромагнитных и диэлектрических слоев
  Проанализированы термодинамические параметры формирования систем Fe3Si/MgO.
  Сделан выбор в пользу системы Fe3Si/SiO2/Fe3O4 в качестве наиболее перспективной с точки зрения изготовления функциональной структуры ФМ-И-ФМ для магнитных туннельных переходов

Разработана методика изготовления экспери-ментального образца магнитного туннельного перехода, по которой состав-лена технологическая инструкция,
  Изготовлен прототип магнитного туннель-ного перехода, на котором измерены магнитосопротивления.
  Проведена оценка полноты решения задач и эффективности полученных результатов.