Разработка лабораторных технологий получения и методик исследования сегнетоэлектрических и полупроводниковых наноструктур с привлечением сканирующей зондовой и электронной микроскопии и рентгеновской дифракции

Разработана технология получения образцов поверхностной регулярной доменной структуры на базе НБС, которые будут являться прототипом для дальнейшей разработки оптически устойчивых волноводных периодических структур. Проведена характеризация сегнетоэлектрических нано- и микродоменных структур методами сканирующей зондовой и электронной микроскопии и нелинейной оптики. Установлено влияние электростатических зарядов на поверхности диэлектриков на метрические параметры поверхности. Разработан способ снятия статических зарядов с поверхности диэлектриков при АСМ-исследованиях в воздушной среде.

Проведена характеризация гетероструктур с наноразмерными слоями на основе соединений А3В5. Разработана процедура анализа произвольного набора экспериментальных данных, полученных разными рентгеновскими методами. Осуществлено полное и однозначное восстановление профилей структурных искажений по глубине исследуемого объекта. Установлено влияние условий роста на структурное совершенство отдельных слоев и границ их раздела в гетеросистеме Inx Ga1-x As – Iny Al 1-y As; определены структурные параметры слоев и характер размытия границ; взаимосвязь технологических параметров роста наносистем с их физико-химическими и структурными свойствами.