Развитие физико-технологических принципов низкотемпературного синтеза нитевидных нанокристаллов и пористых наноматериалов для целей опто- и наноэлектроники.
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.11.3293
Организация
МИЭТ
Руководитель работ
Вернер Виталий Дмитриевич
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Внебюджетные средства
0 млн
В результате выполнения каждой работы должен быть создан необходимый научно-технический задел, обеспечивающий переход к проведению опытно-конструкторских работ с целью последующей коммерциализации
Этапы проекта
1
25.06.2007 - 20.11.2007
разработаны низкотемпературные методы синтеза пористых наноматериалов (оксидов алюминия и титана).
Разработаны методы электрохимического синтеза нитевидных нанокристаллов (ZnS, ZnSe, In2S3, In2Se3, CdTe, ZnTe, ZnO, CdO, кадмий-ртуть-теллур, магнитных материалов) в порах анодного оксида алюминия. Развиты принципы выбора оптимальных режимов импульсного осаждения материалов в нанометровые поры анодных оксидов.
Разработаны способы локального модифицирования поверхностей полупроводников (Si, GaP и др.) с использованием пористого оксида алюминия в качестве технологических маски.
Выявлены особенности синтеза наноматериалов и наноструктур методом молекулярного наслаивания из водных растворов.
Разработан процесс формирования сверхтонких гетеропереходов для фоточувствительных элементов.
Разработан метод создания автоэмиссионных структур на основе широкозонных полупроводниковых слоев, нанесенных на нанопрофилированную поверхность алюминия.
Проведена технико-экономическая оценка рыночного потенциала результатов, полученных при выполнении НИР.
Разработаны методы электрохимического синтеза нитевидных нанокристаллов (ZnS, ZnSe, In2S3, In2Se3, CdTe, ZnTe, ZnO, CdO, кадмий-ртуть-теллур, магнитных материалов) в порах анодного оксида алюминия. Развиты принципы выбора оптимальных режимов импульсного осаждения материалов в нанометровые поры анодных оксидов.
Разработаны способы локального модифицирования поверхностей полупроводников (Si, GaP и др.) с использованием пористого оксида алюминия в качестве технологических маски.
Выявлены особенности синтеза наноматериалов и наноструктур методом молекулярного наслаивания из водных растворов.
Разработан процесс формирования сверхтонких гетеропереходов для фоточувствительных элементов.
Разработан метод создания автоэмиссионных структур на основе широкозонных полупроводниковых слоев, нанесенных на нанопрофилированную поверхность алюминия.
Проведена технико-экономическая оценка рыночного потенциала результатов, полученных при выполнении НИР.
Программа
Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"
Программное мероприятие
1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
профинансировано
профинансировано
профинансировано
Продолжительность работ
2007, 5 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИХТРЭМС КНЦ РАН
профинансировано
профинансировано