Прислать материал
Разработка методов изготовления наноразмерных светоизлучающих гетероструктур для светодиодов ближнего ультрафиолетового диапазона
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.11.3394
Организация
ООО "Н-кристаллы"
Руководитель работ
Макаров Юрий Николаевич
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Внебюджетные средства
5 млн
Конкурс
Разработка методов изготовления наноразмерных светоизлучающих гетероструктур для светодиодов ближнего ультрафиолетового диапазона.
Создание лабораторных методик выращивания светоизлучающих гетероструктур ближнего ультрафиолетового спектрального диапазона на основе нитридов III группы и систем на их основе для повышения конкурентоспособности отечественного приборостроения в смежных отраслях промышленности.
Соисполнители
Организация
ЗАО "Светлана-ОЭ"
Организация
ООО "Софт-Импакт"
Организация
ООО "ЭНЕРГИЯ УФ"
Организация
НТЦ микроэлектроники РАН
Этапы проекта
1
29.08.2008 - 31.10.2008
Краткое описание выполненных работ:
Обосновано принятое направление исследований и способов решения поставленных задач. Сопоставлены ожидаемые показатели чипов с существующими показателями изделий-аналогов. Расчитана топология кристалла, работающего в ближней области ультрафиолета с целью оптимизации оптоэлектрических характеристик
Обосновано принятое направление исследований и способов решения поставленных задач. Сопоставлены ожидаемые показатели чипов с существующими показателями изделий-аналогов. Расчитана топология кристалла, работающего в ближней области ультрафиолета с целью оптимизации оптоэлектрических характеристик
2
01.11.2008 - 31.12.2008
Краткое описание выполненных работ:
Разработана лабораторная технология изготовления наноразмерных светоизлучающих гетероструктур для светодиодов ближнего УФ диапазона.
Разработаны лабораторные технологии изготовления чипов и ламп, работающих в ближней области ультрафиолета. Проведены эксперименты по выращиванию наноразмерных светоизлучающих гетероструктур. Сопоставлены результаты эксперимента с результатами расчетов и математического моделирования.
Разработана лабораторная технология изготовления наноразмерных светоизлучающих гетероструктур для светодиодов ближнего УФ диапазона.
Разработаны лабораторные технологии изготовления чипов и ламп, работающих в ближней области ультрафиолета. Проведены эксперименты по выращиванию наноразмерных светоизлучающих гетероструктур. Сопоставлены результаты эксперимента с результатами расчетов и математического моделирования.
3
01.01.2009 - 30.06.2009
Изготовлены экспериментальные образцы наноразмерных светоизлучающих гетероструктур для светодиодов ближнего ультрафиолетового диапазона, а также чипов и ламп на их основе. Проведены испытания экспериментальных образцов. Проведена доработка лабораторных технологий изготовления наноразмерных светоизлучающих гетероструктур, а также чипов и ламп на их основе.
4
01.07.2009 - 31.10.2009
Проведена оценка возможности создания конкурентоспособной продукции и разработка рекомендаций по использованию результатов проведенных НИР. Разработан проект ТЗ на выполнение ОТР по теме «Разработка технологического процесса производства ультрафиолетовых светодиодов ближнего ультрафиолетового диапазона».
Программа
Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"
Программное мероприятие
1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Спектральная диагностика ближнего поля: субмикронное и фемтосекундное разрешение для светоизлучающих наноустройств ближнего ИК-диапазона
Продолжительность работ
2012 - 2013, 14 мес.
Бюджетные средства
2,49 млн
Организация
СПбАУ РАН, Академический университет
профинансировано
Разработка методов получения светоизлучающих наноразмерных гетероструктур InGaAlN и монолитных белых светодиодов на их основе с квантовой эффективностью не менее 10%.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 10 мес.
Бюджетные средства
14 млн
Организация
НТЦ микроэлектроники РАН
профинансировано
Проблемно-ориентированные исследования в области создания высокоэффективных катодолюминесцентных источников ультрафиолетового излучения в спектральном диапазоне 200 – 300 нм на основе автоэлектронной эмиссии наноразмерных структур
профинансировано
Исследование радиационной стойкости гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами, предназначенных для изготовления светодиодов видимого диапазона с повышенной радиационной стойкостью
Продолжительность работ
2013, 4 мес.
Бюджетные средства
7,1 млн
Организация
АО "НИИПП"
профинансировано
Разработка технологии эпитаксиального выращивания приборных полупроводниковых гетероструктур на основе InP: лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300-1550 нм
Продолжительность работ
2015 - 2016, 16 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Организация
ООО "Коннектор Оптикс"
профинансировано