Прислать материал
Разработка методов ИК тепловизионной микроскопии для контроля температурных полей в мощных светодиодах на основе наногетероструктур
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.11.3408
Организация
ЗАО "ИФ "ТЕТИС""
Руководитель работ
Марков Лев Константинович
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Внебюджетные средства
0 млн
Конкурс
Разработка методов ИК тепловизионной микроскопии для контроля температурных полей в мощных светодиодах на основе наногетероструктур.
Создание метода прецизионного контроля температурных полей в мощных светодиодах на основе наногетероструктур, анализ влияния тепловых процессов на функциональные и ресурсные характеристики приборов, разработка методик диагностики дефектов и прогнозирования надежности при эксплуатации.
Соисполнители
Организация
ЗАО "ПЛАНАР"
Этапы проекта
1
30.09.2008 - 14.11.2008
Краткое описание выполненных работ:
1. Проведен анализ научно-технической литературы, и других материалов, относящихся к разрабатываемой теме.
2. Выбрано и обосновано принятое направление исследований и способы решения поставленных задач.
3. Разработан метод тепловизионного контроля температурных полей применительно к светодиодам на основе наногетероструктур.
4. Изготовлены тестовые экспериментальные образцы светодиодных чипов большой площади и светодиоды на их основе.
5. Проведено исследование излучательной способности (emissivity) набора материалов, составляющих конструкцию чипов и светодиодов, также проведены калибровочные измерения.
6. Проведены измерения температурных полей в светодиодах различных конструкций и в различных режимах работы.
7. Определены тепловые параметры приборов в сравнении с их оценкой другими методами.
8. Исследованы локальные температурные градиенты, вызванные дефектами эпитаксиальной наногетероструктуры или постростовыми процессами.
9. Разработаны методики диагностики дефектов и прогнозирования надежности при эксплуатации приборов.
10. Проведены патентные исследований по ГОСТ Р 15.011-96.
11. Проведена технико-экономической оценка рыночного потенциала полученных результатов.
12. Разработан проект ТЗ на выполнение ОКР.
1. Проведен анализ научно-технической литературы, и других материалов, относящихся к разрабатываемой теме.
2. Выбрано и обосновано принятое направление исследований и способы решения поставленных задач.
3. Разработан метод тепловизионного контроля температурных полей применительно к светодиодам на основе наногетероструктур.
4. Изготовлены тестовые экспериментальные образцы светодиодных чипов большой площади и светодиоды на их основе.
5. Проведено исследование излучательной способности (emissivity) набора материалов, составляющих конструкцию чипов и светодиодов, также проведены калибровочные измерения.
6. Проведены измерения температурных полей в светодиодах различных конструкций и в различных режимах работы.
7. Определены тепловые параметры приборов в сравнении с их оценкой другими методами.
8. Исследованы локальные температурные градиенты, вызванные дефектами эпитаксиальной наногетероструктуры или постростовыми процессами.
9. Разработаны методики диагностики дефектов и прогнозирования надежности при эксплуатации приборов.
10. Проведены патентные исследований по ГОСТ Р 15.011-96.
11. Проведена технико-экономической оценка рыночного потенциала полученных результатов.
12. Разработан проект ТЗ на выполнение ОКР.
Программа
Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"
Программное мероприятие
1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Создание комплекса аттестованных методик и эталонных излучателей для обеспечения единства измерений фотометрических и цветовых характеристик энергосберегающей светотехники на основе светодиодов на наногетероструктурах.
профинансировано
Разработка и апробация методик измерения электрофизических параметров наногетероструктур, изготовленных по отечественным технологиям на базе GaAs, для оценки их влияния на характеристики приборов СВЧ электроники
профинансировано
Создание стандартных образцов состава и свойств многослойных наногетероструктур для метрологического обеспечения измерений профилей состава функциональных покрытий и приборов наноэлектроники на гетероструктурах.
профинансировано
Разработка методики контроля топографических и механических характеристик функциональных покрытий медицинских и биологических изделий с помощью сканирующих зондовых микроскопов
профинансировано
Создание методологических основ обнаружения и локализации латентных технологических дефектов бортовой радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов методами неразрушающего контроля и диагностики на этапах производства
Продолжительность работ
2013, 6 мес.
Бюджетные средства
4,6 млн
профинансировано