Разработка методов ИК тепловизионной микроскопии для контроля температурных полей в мощных светодиодах на основе наногетероструктур

Краткое описание выполненных работ:
1. Проведен анализ научно-технической литературы, и других материалов, относящихся к разрабатываемой теме.
2. Выбрано и обосновано принятое направление исследований и способы решения поставленных задач.
3. Разработан метод тепловизионного контроля температурных полей применительно к светодиодам на основе наногетероструктур.
4. Изготовлены тестовые экспериментальные образцы светодиодных чипов большой площади и светодиоды на их основе.
5. Проведено исследование излучательной способности (emissivity) набора материалов, составляющих конструкцию чипов и светодиодов, также проведены калибровочные измерения.
6. Проведены измерения температурных полей в светодиодах различных конструкций и в различных режимах работы.
7. Определены тепловые параметры приборов в сравнении с их оценкой другими методами.
8. Исследованы локальные температурные градиенты, вызванные дефектами эпитаксиальной наногетероструктуры или постростовыми процессами.
9. Разработаны методики диагностики дефектов и прогнозирования надежности при эксплуатации приборов.
10. Проведены патентные исследований по ГОСТ Р 15.011-96.
11. Проведена технико-экономической оценка рыночного потенциала полученных результатов.
12. Разработан проект ТЗ на выполнение ОКР.