Разработка конструкции и методов изготовления электромеханической памяти на основе наносегнетоэлектрических структур

В рамках НИР проведена разработка технологии создания наноэлектромеханической памяти на базе наноразмерных функциональных слоев, изготавливаемых методами поверхностной микрообработки. НИР выполнена на высоком научно-техническом уровне с применением современных аналитических и экспериментальных методик, средств расчета и моделирования, технологического и измерительного оборудования. Результаты НИР имеют высокое научное и практическое значение и могут быть использованы в смежных областях микромеханики: микро- и наноэлектронные технологии, микро- и нанотехника, в разработке химических и аналитических чипов на основе интегральной технологии и обработки кремния.