Технологии выращивания и электронные свойства комбинированных наноструктур для оптоэлектронных и магнитных устройств

Краткое описание выполненных работ:
Разработана технология выращивания структурно-совершенных наноструктур на основе полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6 на SiGe “виртуальных подложках” с плотностью дислокаций на уровне 105 см-2 .
Проведено исследование процессов зарождения и размножения дислокаций в наноструктурах на основе полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6 на SiGe “виртуальных подложках”.
Исследованы люминесцентных свойств выращенных наноструктур в широком диапазоне температур (4,2 - 300 К).
Проведено сравнение люминесцентных свойств наноструктур, выращенных на “виртуальных подложках”, со свойствами наноструктр со схожими параметрами, выращенных на обычных GaAs подложках.
Выращены периодические гетероструктуры PbTe-EuTe, состоящие из трех пар слоев с относительным оптическим контрастом ?N/N~ 40% и толщинами, равными четверти длины волны в каждом слое.
Созданы эпитаксиальные брэгговские зеркала для среднего ИК-диапазона с коэффициентами отражения в области стоп-зон R~ 99,7 – 99,8 % в спектральном диапазоне 4-10 мкм.
Исследованы структурные, электрические и оптические свойства отдельных слоев и брэгговских структур на основе тройного твердого раствора PbEuTe (0 ? x ? 1).
Разработана технология выращивания многослойных систем магнитных наноостровков, с помощью которой можно воспроизводимым образом получать структуры, способные обнаруживать сверхслабые магнитные поля до 10-6 Э.
Проведены исследования электронного транспорта и магнитооптических свойств структур с системами магнитных наноостровков.