Прислать материал
Туннельно-связанные полупроводниковые наноструктуры для эпитаксиально-интегрированных мощных источников излучения
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.12.3011
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
Руководитель работ
Тарасов Илья Сергеевич
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Внебюджетные средства
1,4 млн
Разработка методов создания туннельно-связанных полупроводниковых наноструктур для эпитаксиально - интегрированных мощных источников, излучающих в ближнем ИК диапазоне, для массового применения в навигационных системах, атмосферных лидарах, в технологических системах обработки, сварки, резки, испарения и медицинской аппаратуре.
Соисполнители
Организация
АО "НИИ "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха"
Участники проекта
Зам. руководителя работ
Пихтин Никита Александрович
Этапы проекта
1
11.08.2008 - 10.12.2008
Выбраны и обоснованы принципы конструирования туннельно – связанных эпитаксиально - интегрированных наноструктур.
Разработана базовая конструкция туннельно-связанных эпитаксиально - интегрированных полупроводниковых наноструктур.
Разработаны методы создания резких P и N профилей легирования твердых растворов полупроводниковых соединений А3В5 и проведены исследования созданных экспериментальных образцов.
Разработаны методы создания туннельно-связанных эпитаксиально - интегрированных полупроводниковых наноструктур излучающих в условиях высоких уровней инжекции
Изготовлены лабораторные образцы туннельно-связанных эпитаксиально - интегрированных полупроводниковых наноструктур и исследованы их свойства.
Проведены патентные исследования по ГОСТ 15.011-96
Разработана базовая конструкция туннельно-связанных эпитаксиально - интегрированных полупроводниковых наноструктур.
Разработаны методы создания резких P и N профилей легирования твердых растворов полупроводниковых соединений А3В5 и проведены исследования созданных экспериментальных образцов.
Разработаны методы создания туннельно-связанных эпитаксиально - интегрированных полупроводниковых наноструктур излучающих в условиях высоких уровней инжекции
Изготовлены лабораторные образцы туннельно-связанных эпитаксиально - интегрированных полупроводниковых наноструктур и исследованы их свойства.
Проведены патентные исследования по ГОСТ 15.011-96
2
01.01.2009 - 31.07.2009
Разработаны методы создания туннельных переходов для эпитаксиально - интегрированных наноструктурах на основе твердых растворов полупроводниковых соединений А3В5. Изготовлены экспериментальные образцы импульсных источников излучения на основе туннельно-связанных эпитаксиально - интегрированных полупроводниковых наноструктур и исследованы их свойства.
3
01.08.2009 - 31.10.2009
Доработана лабораторная ТИ получения вертикально-интегрированных образцов импульсных источников излучения. Проведены исследования характеристик экспериментальных образцов вертикально интегрированных импульсных источников излучения
Программа
Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"
Программное мероприятие
1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Полупроводниковые наногетероструктуры А3В5 для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона.
Продолжительность работ
2014 - 2016, 30 мес.
Бюджетные средства
43,5 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
профинансировано
Продолжительность работ
2012 - 2013, 14 мес.
Бюджетные средства
1,5 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
профинансировано
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Организация
ИРЭ им. Котельникова В.А. РАН
профинансировано