Концентрированные магнитные полупроводники как рабочая среда для логических и запоминающих устройств спинтроники.
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.12.3020
Организация
НИЯУ МИФИ
Руководитель работ
Зенкевич Андрей Владимирович
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Внебюджетные средства
4,2 млн
Формирование наноразмерных слоев концентрированных магнитных полупроводников, а также многослойных структур на их основе, исследование их структурных, магнитных свойств и процессов спин-зависимого транспорта носителей с целью разработки новых физических принципов работы и изготовления прототипов логических и запоминающих наноустройств.
Соисполнители
Организация
НИЦ "Курчатовский институт"
Участники проекта
Зам. руководителя работ
Сторчак Вячеслав Григорьевич
Этапы проекта
1
08.08.2008 - 15.10.2008
Краткое описание выполненных работ:
- проведены патентные исследования;
- выбраны и обоснованы принятое направление исследований и способы решения поставленных задач;
- сопоставлены ожидаемые показатели устройств логики и памяти после внедрения результатов НИР с существующими показателями изделий-аналогов;
- разработана общая методика проведения исследований;
- разработана методика исследований экспериментальных образцов тонкопленочных слоев концентрированных магнитных полупроводников (КМП) и структур на их основе;
- проведены необходимые расчеты и математическое моделирование.
- проведены патентные исследования;
- выбраны и обоснованы принятое направление исследований и способы решения поставленных задач;
- сопоставлены ожидаемые показатели устройств логики и памяти после внедрения результатов НИР с существующими показателями изделий-аналогов;
- разработана общая методика проведения исследований;
- разработана методика исследований экспериментальных образцов тонкопленочных слоев концентрированных магнитных полупроводников (КМП) и структур на их основе;
- проведены необходимые расчеты и математическое моделирование.
2
16.10.2008 - 31.12.2008
- разработаны методики получения структур слоёв немагнитный металл (НМ)-КМП-НМ на основе халькогенидов (EuS, SmS, EuO), легированных редкоземельными металлами, и ферромагнитных полупроводниковых шпинелей (CdCr2Se4 и др.);
- разработаны лабораторные регламенты на процессы изготовления тонкопленочных структур на основе КМП в комбинации с немагнитными металлическими электродами и буферными изоляторами;
- изготовлены экспериментальные образцы тонкопленочных структур на основе КМП.
- разработаны лабораторные регламенты на процессы изготовления тонкопленочных структур на основе КМП в комбинации с немагнитными металлическими электродами и буферными изоляторами;
- изготовлены экспериментальные образцы тонкопленочных структур на основе КМП.
3
01.01.2009 - 30.06.2009
Разработаны лабораторные регламенты на процессы изготовления образцов. Изготовлены лабораторные образцы функциональных структур НМ/КМП/НМ; проведены испытания лабораторных образцов функциональных структур НМ/КМП/НМ.
4
01.07.2009 - 31.10.2009
Разработан литографический процесс для создания прототипов элементов логики и/или памяти на основе избранных функциональных структур НМ/КМП/НМ; разработаны лабораторные регламенты на процессы изготовления прототипов устройств логики и/или памяти, изготовлены прототипы устройств.
Программа
Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"
Программное мероприятие
1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Продолжительность работ
2010 - 2012, 31 мес.
Бюджетные средства
9 млн
Организация
ФГАОУ ВО "БФУ им.И.Канта"
профинансировано
профинансировано
профинансировано
Продолжительность работ
2011 - 2012, 13 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
Продолжительность работ
2010 - 2012, 26 мес.
Бюджетные средства
3,6 млн
Организация
МГТУ им. Н.Э.Баумана
профинансировано