Наноструктурированные полупроводниковые эпитаксиальные слои на кремнии для тепловизионных устройств нового типа

1. Проведен анализ научно-технической литературы, нормативно-технической документации и других материалов, относящихся к разрабатываемой теме.
2. Проведен анализ научно-технической литературы по изучению методов получения буферных слоёв CaF2 и BaF2.
3. Проведено обоснование принятого направления и описание способов решения поставленных перед НИР задач.
4. Разработаны рекомендации получения буферных слоёв CaF2 и BaF2 на кремнии.
5. Разработаны лабораторные методы получения эпитаксиальных слоев PbTe на кремнии, наногетероструктур PbTe:Ga/ CaF2/BaF2/ на кремнии и сверхрешеток PbSnTe/ PbTe.
6. Разработана общая методика проведения исследований лабораторных образцов и макетов фотоприемников;
7. Проведена адаптация лабораторных методов получения эпитаксиальных слоев PbTe на кремнии, совместимых с кремниевой технологией.
8. Проведены патентные исследования по ГОСТ 15.011-96.

1. Разработаны лабораторные технологические методы получения буферных слоев CaF2/BaF2 на кремнии.
2. Изготовлены буферные слои CaF2/BaF2 на кремнии.
3. Разработана методика проведения исследований сплошности и рельефа пленок CaF2 и BaF2 на кремнии в зависимости от параметров технологиче-ского процесса.
4. Проведены электронно-микроскопические исследования кристаллической структуры слоев CaF2 и BaF2.
5. Разработан метод легирования пленок PbTe галлием.
6. Разработана методика проведения электронно-микроскопических исследо-ваний кристаллической структуры слоев в зависимости от параметров техно-логического процесса и толщины слоев.
7. Установлены механизмы роста, обеспечивающие получение наноразмер-ных слоев CaF2 и BaF2 на кремнии с толщинами в диапазоне 10 – 200 нм с атомарно гладким их рельефом.
8. Разработаны методики проведения исследований сплошности и рельефа пленок PbTe на атомно-силовом микроскопе, проведения электронно-микроскопических исследований кристаллической структуры.
9. Проведены исследования сплошности и рельефа пленок PbTe на атомно-силовом микроскопе, проведены электронно-микроскопических исследова-ний кристаллической структуры.
10. Установлены механизмы роста, обеспечивающие получение эпитаксиаль-ных монокристаллических пленок PbTe с толщиной в диапазоне 100 – 1000 нм.

Разработана методика гальваномагнитных и магнитных измерений в сверхсильных магнитных полях до 40 Тл. Изготовлены лабораторные образцы монокристаллических слоев PbTe:Ga и наногетероструктур PbTe:Ga/CaF2/BaF2 на кремнии, сверхрешеток PbSnTe/PbTe

Проведены испытания макетов фотоприемников и проведён анализ соответствия параметров макетов фотоприемников требованиям ТЗ. Разработаны лабораторные технологические карты получения эпи-таксиальных слоев PbTe , совместимых с кремниевой технологией, сверхре-шеток PbSnTe/PbTe.