Разработка метода получения высокоомных слоев нитрида алюминия на карбиде кремния

2.1. В процессе выполнения научно-исследовательских работ по дан-ному проекту разработаны технологии синтеза пленок A1N на подложках SiC, Al2O3 методами ионно-плазменного магнетронного распыления поли-кристаллических мишеней и ВЧ реактивного распыления Al в азотно-аргоновой плазме. Разработанная технология позволяет, при относительно низких температурах, с меньшими энергетическими и ресурсными затратами, получить пленки A1N с различной атомной структурой и с заданным уров-нем легирования. Для реализации предложенного способа осаждения пленок A1N сконструирована новая система магнетронного распыления на постоян-ном токе. С учетом требований условий проведения экспериментов осущест-влена модернизация промышленной технологической установки УВМ-30М.
Методом магнетронного распыления поликристаллических мишеней A1N с различными примесями и сораспылением алюминия в азотно-аргоновой плазме, в условиях мягкого ионного асисстировании (до 2 кэВ) получены пленки A1N с различной атомной структурой. Рассчитаны и экспе-риментально установлены оптимальные технологические параметры осажде-ния пленок и слоев A1N с заданной структурой и свойствами на подложках SiC, Al2O3. Получены лабораторные образцы структур 6НSiC-AlN, 4HSiC-AlN в количестве 10 шт каждого типа, где слои AlN были текстурированны по направлению (0001).
Современными аналитическими методами исследования проведены комплексные исследования химического состава, структуры и свойств пле-нок A1N, которые показали возможности разработанных технологий в фор-мировании пленок A1N на подложках SiC, Al2O3 текстурированных по на-правлению (0001) с включениями наноразмерных кристаллитов. Исследова-ния планарных фоторезисторных структур показали стабильность фо-тоэлектрических параметров при облучении интенсивным (F=10 мВт/см2) УФ излучением (200-290 нм) на протяжении более чем трех ча-сов (суммарная доза 100 Дж/см2). Установлена связь между удельной элек-тропроводностью и спектрами оптического пропускания пленок и темпера-турой подложки, на которой осаждались пленки A1N.
Объем выполненных научно-исследовательских работ и характеристи-ки полученных структур 6НSiC-AlN, 4HSiC-AlN соответствуют требованиям технического задания.