Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка метода получения высокоомных слоев нитрида алюминия на карбиде кремния

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.513.12.3048
Организация
ООО "Аккорд"
Руководитель работ
Рамазанов Нисредин Камалович
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Внебюджетные средства
0,35 млн

Разработка высокоэффективных базовых методов получения слоев нитрида алюминия с прогнозируемыми электрофизическими свойствами с примененинием ионно-плазменных процессов.

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Курбанов Малик Курбанович

Этапы проекта

1
06.10.2008 - 01.12.2008
2.1. В процессе выполнения научно-исследовательских работ по дан-ному проекту разработаны технологии синтеза пленок A1N на подложках SiC, Al2O3 методами ионно-плазменного магнетронного распыления поли-кристаллических мишеней и ВЧ реактивного распыления Al в азотно-аргоновой плазме. Разработанная технология позволяет, при относительно низких температурах, с меньшими энергетическими и ресурсными затратами, получить пленки A1N с различной атомной структурой и с заданным уров-нем легирования. Для реализации предложенного способа осаждения пленок A1N сконструирована новая система магнетронного распыления на постоян-ном токе. С учетом требований условий проведения экспериментов осущест-влена модернизация промышленной технологической установки УВМ-30М.
Методом магнетронного распыления поликристаллических мишеней A1N с различными примесями и сораспылением алюминия в азотно-аргоновой плазме, в условиях мягкого ионного асисстировании (до 2 кэВ) получены пленки A1N с различной атомной структурой. Рассчитаны и экспе-риментально установлены оптимальные технологические параметры осажде-ния пленок и слоев A1N с заданной структурой и свойствами на подложках SiC, Al2O3. Получены лабораторные образцы структур 6НSiC-AlN, 4HSiC-AlN в количестве 10 шт каждого типа, где слои AlN были текстурированны по направлению (0001).
Современными аналитическими методами исследования проведены комплексные исследования химического состава, структуры и свойств пле-нок A1N, которые показали возможности разработанных технологий в фор-мировании пленок A1N на подложках SiC, Al2O3 текстурированных по на-правлению (0001) с включениями наноразмерных кристаллитов. Исследова-ния планарных фоторезисторных структур показали стабильность фо-тоэлектрических параметров при облучении интенсивным (F=10 мВт/см2) УФ излучением (200-290 нм) на протяжении более чем трех ча-сов (суммарная доза 100 Дж/см2). Установлена связь между удельной элек-тропроводностью и спектрами оптического пропускания пленок и темпера-турой подложки, на которой осаждались пленки A1N.
Объем выполненных научно-исследовательских работ и характеристи-ки полученных структур 6НSiC-AlN, 4HSiC-AlN соответствуют требованиям технического задания.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

1.3 Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований и создание научно-технического задела в области индустрии наносистем
Тема
Разработка метода получения высокоомных слоев нитрида алюминия на карбиде кремния.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка технологии нанополировки подложек оксида алюминия и карбида кремния для изготовления мощных электронных и оптоэлектронных приборов на нитридах алюминия и галлия.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
25 млн
Количество заявок
2
Тема
Синтез тонких пленок карбида кремния.
Продолжительность работ
2008, 2 мес.
Бюджетные средства
2,5 млн
Количество заявок
3
Тема
Разработка конкурентоспособных технологий и создание опытно-промышленного производства подложек лейкосапфира, карбида кремния и нитрида галлия для широкого класса приборов оптоэлектроники и электроники.
Продолжительность работ
2007 - 2009, 26 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка технологии изготовления нитридных гетероструктур на подложках нитрида алюминия для СВЧ-транзисторов.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10,5 млн
Количество заявок
2