Разработка методов атомно-слоевого осаждения диэлектрических, полупроводниковых и металлических покрытий на наноструктурированные поверхности

2.1. Разработаны лабораторные технологии атомно-слоевого осаждения сверхтонких покрытий TiO2, MgO, Al2O3, Cu, Pt на поверхность ноструктурированных углеродных материалов. Они обеспечивают формирование пленок TiO2, MgO, Al2O3, Cu, Pt в диапазоне толщин от 1 до 50 нм, точность контроля толщины на площади до 100 см2 составляет 0,5 нм, конформное их осаждение на наноструктурированные поверхности углеродных материалов и ZnO с характерным размером нанокристаллов от 5 до 100 нм, максимальную температуру осаждения сверхтонких покрытий 300 0С.
Созданные на основе разработанных методов гетероструктуры для автоэлектронных эмиссионных катодов на основе функционализированных УНТ и нитевидных нанокристаллов ZnO характеризуются пороговой напряженностью поля автоэлектронной эмиссии 7 В/мкм и плотностью тока автоэлектронной эмиссии экспериментальных образцов 11 мА/см2. Гетероструктуры для сред петабитных ЗУ на основе функционализированных углеродных материалов обеспечивают коэффициент умножения вторичных электронов более 10. Гетероструктуры для фотоэлектрических преобразователей на основе функционализированных наноструктурированных слоев акцепторов электронов TiO2, содержащих углеродные нанотрубки, при облучении солнечным светом мощностью 100 мВт/см2 характеризуются напряжением холостого хода 0,66 В и плотностью тока короткого замыкания 10 мА/см2.