Исследование механизмов и полупроводниковых гетеросистем, которые обеспечивают генерацию перестраиваемого излучения в среднем ИК диапазоне
Работы должны проводиться в рамках следующих критических технологий: «Технологии мониторинга и прогнозирования состояния атмосферы и гидросферы»; «Технологии оценки ресурсов и прогнозирования состояния литосферы и биосферы»; «Технологии переработки и утилизации техногенных образований и отходов»; «Технологии снижения риска и уменьшения последствий природных и техногенных катастроф»; «Технологии экологически безопасной разработки месторождений и добычи полезных ископаемых». Работы должны соответствовать по предполагаемому исполнению лучшим мировым стандартам. Создаваемый научно-технический задел должен обеспечивать в будущем проведение опытно-конструкторских и технологических работ на конкурентном уровне. Результаты работ должны способствовать дальнейшему инновационному развитию российских технологий в данном приоритетном направлении Программы.
Этапы проекта
2. Изготовлены полосковые резонаторы и резонаторы на модах шепчущей галереи для структур на основе гетеросистемы CdxHg1-xTe (кадмий-ртуть-теллур – КРТ) и продемонстрировано лазерное излучение в таких резонаторах в диапазоне от 1,5 – 3,3 микрона при оптической накачке лазерами на длине волны 1,06 микрона ,
3. Выращены новые гетероструктуры с большим числом квантовых ям на основе соединений InGaAs-InGaP-GaAs и AlGaInAs-InP, на которых обнаружено стимулированное излучение на длинах волн в диапазоне 1,2 – 1,8 микрон при оптической накачке лазерами на длине волны 1,06 микрона ,
4. Продемонстрировано перестраиваемое излучение в среднем ИК диапазоне при оптической накачке слоев CdxHg1-xTe и AlGaInAs-InP за счет изменения температуры КРТ слоев и мощности накачки,
5. Создан параметрический генератор с накачкой лазерами на длине волны 1,06 микрона, обеспечивающий за счет перестройки резонатора перестройку длины волны излучение щт 2.1 до 3, 3 микрона,
6. Созданы 3 стенда для исследования излучений при оптической накачке лазерных гетерослоев при Т =77 – 300К,