Исследование физических свойств нано-структурированных пленок оксида индия, легированного фтором, определяющих возможности их использования в качестве прозрачного электрода для создания высокоэффективных солнечных элементов из кристаллического кремния

1. Цель и задачи этапа работ:
Разработка высокоэффективного, в том числе, двустороннего солнечного элемента из кристаллического кремния р-типа, за счет включения в его конструкцию прозрачного электрода на основе пленки прозрачного проводящего оксида, в том числе, в сочетании с проволочными контактами. Конкретная цель настоящего проекта состоит в исследовании возможности использования в этом качестве нано-структурированных пленок на основе оксида индия, легированного фтором.

2. Работы, выполненные на отчетном этапе:
• проведены патентные исследования по ГОСТ 15.011-96;
• исследовано влияние температуры осаждения пленок IFO на фотоэлектрические свойства гетероструктуры IFO/Si;
• исследовано влияние концентрации фтора в пленкообразующем растворе на фотоэлектрические свойства гетероструктуры IFO/Si;
• исследовано влияние концентрации кислородно-аргоновой газовой смеси, используемой для подачи аэрозоля пленкообразующего раствора в камеру осаждения IFO, на фотоэлектрические свойства гетероструктуры IFO/Si;
• исследовано влияние отжига в атмосфере аргона, кислорода, в парах воды и метанола на фотоэлектрические свойства гетероструктуры IFO/Si;
• исследовано влияние скорости подачи газа-носителя на фотоэлектрические свойства гетероструктуры IFO/Si;
• проведена технико-экономическая оценка результатов работ;
• составлен и оформлен научно-технический отчет.

3. Результаты:
• определены оптимальные условия осаждения на кремниевые подложки нано-структурированных пленок на основе оксида индия, легированного фтором (IFO), методом пиролиза аэрозоли (pyrosol), для использования IFO в качестве прозрачного электрода в солнечном элементе;
• получены экспериментальные образцы модельных солнечных элементов на основе гетероперехода IFO/(p)Si;
• получены экспериментальные образцы высокоэффективных солнечных элементов на основе структуры IFO/(n+p)Si;
• составлен отчет о патентных исследованиях;
• составлен отчет о достижении заданных значений программных индикаторов.