Изучение свойств высокотемпературных сверхпроводников и других перспективных материалов с использованием уникального стенда для проведения исследований материалов в экстремальных условиях сверхнизких температур, высоких давлений, сильных электрических и магнитных полей

1. Заключаются договора (контракты) с поставщиком на закупку оборудования.
2. Установлены причины различия фазовых диаграмм дырочно- и электронно-допированных ВТСП»
3 Установлен микроскопический характер межэлектронных взаимодействий в спин-поляризованной системе электронов.

1. Заключены договоры (контракты) с поставщиками на закупку оборудования.
2. Исследовано влияние конкуренции беспорядка и взаимодействия на свойства двумерных системе с сильными межэлектронными корреляциями.
3 Исследована природа наномасштабной пространственной неоднородности в ВТСП с электронным и дырочным допированием.

Изучено поведение магнетосопротивления в спин-упорядоченной фазе (TMTSF)2PF6. Обнаружено, что в этом чисто диэлектрическом состоянии, существуют долокализованные носители. Полученные данные качественно находятся в согласии с теорией, рассматривающей две волны спиновой плотности с двумя соответствующими векторами нестинга и, таким образом, проливают свет на механизм установления спинового упорядочения в (TMTSF)2PF6.
Показано, что двухщелевой спектр дважды упорядоченного сверхпроводящего состояния может проявиться в ряде ключевых для физики купратных сверхпроводников экспериментов. Установлено, что изотопический эффект на лондоновской глубине проникновения , отсутствующий в теории BCS, проявляется в недодопированных купратах. Глубина проникновения слабо чувствительна к изотопическому замещению в достаточно широком интервале температур ниже . Показано, что двухщелевая структура плотности квазичастичных состояний, наблюдаемая при температурах 30-50 meV в туннельной спектроскопии монокристаллов Bi2212, может рассматриваться как косвенное подтверждение возникновения дважды упорядоченного сверхпроводящего состояния.
Получена оценка величины электрон-фононного взаимодействия в стехиометрических соединениях ZrN и HfN. Рассчитаны их критические температуры Тс и их изменение под действием давления. Получено разумное согласие с теоретическими работами, в которых эти нитриды рассчитывались при нормальном давлении. Полученные результаты для нитрида циркония ZrN, подробно исследованного экспериментально, хорошо согласуются с туннельными данными и с измерениями барической производной dTc/dp. Проанализированы различные факторы, влияющие на поведение Tc в условиях высоких давлений. Найдено, что понижение Тс при сжатии в ZrN и HfN происходит в основном за счет возрастания фононных частот.

Предложен, теоретически разработан и экспериментально осуществлен метод измерения времени междолинных переходов в многодолинных 2D Si-МДП электронных системах в условиях конкуренции беспорядка и взаимодействия. Полученные результаты дают полную картину релаксации всех квантовых чисел в двухдолинном 2D электронном газе, и ставят перед теорией задачу учета влияния междолинных переходов на квантовый транспорт.
Даны объяснения механизму возникновения пространственно-неоднородного состояния и природе «псевдощелевой» фазы в ВТСП.
Методами туннельной и Андреевской спектроскопии проведены детальные исследования двухзонной сверхпроводимости и леггетовской моды в Mg1-xAlxB2. Изучены температурные зависимости сверхпроводящих щелей и их изменение в результате разупорядочения и от содержания Al.
Проведены исследования влияния строения зон проводимости в сверхпроводниках на особенности оптического отклика с целью установления характера симметрии параметра порядка в высокотемпературных сверхпроводниках.
Проведены исследования фазовой диаграммы двумерных электроных систем с взаимодействием. Выполнен детальный двухпараметрический скейлинговый анализ данных, полученных на пяти Si-MOSFET образцах вблизи перехода металл–диэлектри,. который поддерживает интерпретацию наблюдаемого критического поведения в транспорте заряда как проявление квантового фазового перехода, вызываемого как беспорядком, так и электрон-электронным взаимодействием.