Прислать материал
Исследование спектрокинетических свойств наноструктур на основе полупроводников А3В5 и Si/Ge с использованием уникального стенда перестраиваемых мощных (до 2 ГВт) импульсных фемто- и наносекундных лазеров и параметрических генераторов света (УСУ «Фемтоспектр»)
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.518.11.7133
Организация
ИФМ РАН
Руководитель работ
Красильник Захарий Фишелевич
Продолжительность работ
2009 - 2010, 16 мес.
Бюджетные средства
5 млн
Внебюджетные средства
0 млн
Проведение исследований в области: новых перспективных материалов, нанотехнологий с использованием методов активного физического воздействия (радиация, плазма, СВЧ-излучение, ультразвук и др.).
Проведение исследований и обеспечение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ, проводимых организациями Российской Федерации, с предоставлением возможности использования методов научных исследований, разработанных или освоенных для уникальной установки, стенда (УСУ).
Развитие материально-технической базы УСУ путем дооснащения имеющихся специализированных комплексов (лабораторий), приобретаемым научным оборудованием для обеспечения и развития исследований в форме коллективного пользования.
Этапы проекта
1
08.06.2009 - 30.09.2009
Проведен анализ имеющихся методов и разработаны три новые методики исследования на УСУ. Разработана программа развития УСУ.
2
01.10.2009 - 31.12.2009
Выполнено дооснащение УСУ и проведены пуско-наладочные работы. Выполнены предварительные исследования спектров фотолюминесценции с временным разрешением в гетероструктурах GaAsSb/GaAs в области длин волн 1.1-1.3 мкм при Т = 10-300 К. Изучены кинетика релаксации примесной фотопроводимости в гетероструктурах p-Ge/GeSi и механизмов захвата возбужденных носителей на примесные центры. Подготовлен отчет о НИР.
3
01.01.2010 - 30.06.2010
Изучена кинетикаи релаксации примесной фотопроводимости в гетероструктурах n-GaAs/InAlGaAsP. Проведено исследование спектров фотолюминесценции с временным разрешением в гетероструктурах GaAsSb/GaAs в области длин волн 1.1-1.3 мкм при Т= 10-300 К. Проведено изучение механизмов остывания и захвата фотовозбужденных носителей в квантовую яму в наноструктурах InGaAs/GaAs. Проведено исследование динамики фотопроводимости и фотолюминесценции в наноструктурах InAs/GaAs с квантовыми точками и кластерами.
4
01.07.2010 - 29.10.2010
Проведены исследования в рамках реализации мероприятий ФЦП и др. научных проектов с использованием УСУ. Подготовлены публикации и доклады на конференции по результатам исследований. Осуществлена подготовка научных кадров.
Программа
Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"
Программное мероприятие
1.8 Проведение исследований с использованием уникальных стендов и установок, а также уникальных объектов научной инфраструктуры (включая обсерватории, ботанические сады, научные музеи и др.), научных организаций и образовательных учреждений высшего профессионального образования
Исследование полупроводниковых наноструктур Si/Ge, А2В6 и А3В5 с использованием уникального стенда перестраиваемых мощных (до 2 ГВт) импульсных фемто- и наносекундных лазеров и параметрических генераторов света (УСУ "Фемтоспектр")
профинансировано
Исследование механизмов наноструктурной модификации и упрочнения поверхностных слоев интерметаллических и металлокерамических сплавов при импульсном электронно-пучковом облучении на уникальной установке «СОЛО», оснащенной электронным источником с сеточной стабилизацией эмиссионной границы плазмы
профинансировано
Проведение прецизионных измерений физических свойств аморфизующихся расплавов на основе железа с целью получения наноматериалов с использованием уникальной установки: «Комплекс установок для исследования структуры и физических свойств металлических расплавов», «Расплав»
Продолжительность работ
2009 - 2010, 17 мес.
Бюджетные средства
5,06 млн
профинансировано
Исследование структуры и свойств перспективных наноструктурированных материалов и покрытий, формируемых активным физическим воздействием направленного взрыва, с использованием уникальных установок Самарского государственного технического университета
Продолжительность работ
2009 - 2010, 16 мес.
Бюджетные средства
4,05 млн
Организация
ФГБОУ ВО "СамГТУ"
профинансировано
Исследование процессов формирования наноструктур с переносом заряда на комплексной установке по аналитическому исследованию твердой, жидкой и газовой фазы и изучению материалов различного назначения» (Шифр УСУ «УНИКУМ-ПХ»)
Продолжительность работ
2009 - 2010, 17 мес.
Бюджетные средства
5,06 млн
Организация
ФГУП "РНЦ "Прикладная химия"
профинансировано