Регистрация / Вход
Прислать материал

«Новые материалы на основе полупроводниковых
наностуктур Si, Gе и GаАs для наноэлектроники и нанофотоники»

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.740.11.0117
Организация
ИФМ РАН
Руководитель работ
Красильник Захарий Фишелевич
Продолжительность работ
2009 - 2011, 28 мес.
Бюджетные средства
14 млн
Внебюджетные средства
3 млн

Информация отсутствует

Этапы проекта

1
15.06.2009 - 30.09.2009
Исследования оптических свойств широкого класса низкоразмерных SiGe наноструктур.
Определение вероятности излучательной рекомбинации носителей заряда в SiGe наноструктурах в зависимости от степени их пространственной локализации.
Развернуть
2
01.10.2009 - 15.12.2009
Получение серии слоев нанокристаллического кремния методом PECVD. Оптимизация режимов процесса для получения слоев с повышенным содержанием нанокристаллической фазы.
Развитие методик диагностики получаемых слоев.
Развернуть
3
01.01.2010 - 30.06.2010
Развитие технологии формирования многослойных SiGe структур с наноостровками, разделенными слоями Si нанометровой толщины.
Отработка технологии формирования волноводов на основе Si:Er/SOI и SiGe:Er/Si структур.
Разработка и изготовление диодных светоизлучающих меза-структур.
Развернуть
4
01.07.2010 - 15.12.2010
Определение состава и структуры слоев нанокристаллического кремния, полученного методом PECVD из SiF4 методами вторичной ионной масс-спектрометрии, рентгеновской дифрактометрии и рамановской спектроскопии.
Комплексная оптимизация параметров SiGe структур для создания на их основе эффективных светодиодов ближнего ИК диапазона.
Развернуть
5
01.01.2011 - 30.06.2011
Изучение механизмов формирования методом МОГФЭ искусственной среды, представляющей собой многослойные массивы металлических нанокластеров Al или W, внедренных в полупроводниковые гетероструктуры GaAs/AlGaAs/InGaAs.
Изучение процессов формирования интерфейса на гетерограницах «металл – GaAs» диффузии, окисления и образования химических соединений.
Развернуть
6
01.07.2011 - 17.10.2011
Развитие технологии формирования методом МЛЭ на «искусственных подложках» на основе релаксированных SiGe/Si(001) буферных слоев многослойных диодных структур с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками, встроенными в напряженный (растянутый) Si слой нанометровой толщины.
Анализ связи электрических и оптических характеристик слоев nc-Si получаемых в процессе PECVD с содержанием и химической формой фтора.
Комплексный анализ структур с многослойными массивами металлических нанокластеров Al или W, внедренных в гетероструктуры GaAs/AlGaAs/InGaAs методами рентгеновской дифракции, электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии и вторично-ионной масс-спектроскопии
Определение усиления в волноводных структурах Si:Er/SOI и SiGe:Er/Si на длине волны 1,54 мкм при оптической и токовой накачке. Реализация ударного механизма возбуждения центра Er-1 горячими электронами в обратно смещенных p-n-переходах структур Si:Er/Si
Развернуть

Программа

Программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009 - 2013 годы

Программное мероприятие

1.1 Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров
Продолжительность работ
2010 - 2012, 30 мес.
Бюджетные средства
4,5 млн
профинансировано
Тема
Организационно-техническое обеспечение проведения всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи "Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика"
Продолжительность работ
2009, 4 мес.
Бюджетные средства
0,7 млн
Количество заявок
1
Тема
Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований по разработке методов формирования упорядоченных массивов кристаллических наноструктур для наноэлектроники и нанофотоники.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 20 мес.
Бюджетные средства
50 млн
Количество заявок
26
Тема
«Организационно-техническое обеспечение проведения всероссийской молодежной конференции «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика»».
Продолжительность работ
2012, 3 мес.
Бюджетные средства
0,7 млн
Количество заявок
3
Тема
Нанокластерированные ферромагнитные материалы для приборов полупроводниковой спиновой наноэлектроники.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2
Тема
Организационно-техническое обеспечение проведения всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи "Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника"
Продолжительность работ
2009, 4 мес.
Бюджетные средства
0,7 млн
Количество заявок
2